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[压电石英晶体技术资料]如何确定石英晶体各级温度系数（二）2018年05月14日 08:52: 除了用频率温度特性来描写晶体元件的温度特性外,还经常用频率温度系数来表示石英晶体元件的温度特性,各级频率温度系数的数值,以及这些系数随切角的变化率,将表中有关数据代入下式,即可作出所需的频率温度特性曲线.ceob2b晶振平台一一给您讲解; 阅读（116）标签：石英晶体|石英晶体频率稳定曲线方程图

[压电石英晶体技术资料]如何确定石英晶体的各级温度系数(一)2018年05月12日 09:50: 石英晶体元件的频率温度系数TF与一级、二级、三级系数有关；晶体元件的频率温度系数TF是温度的函数,因此频率温度系数是在某一温度时的频率温度系数;频率温度系数的大小,反应了石英晶体元件的温度稳定性;当T=T0时,则TF=a0,这表明只有在a0=0的条件下,才存在零温度系数,所以,a0=0的切型称为零温度系数切型。; 阅读（248）标签：石英晶体|如何确定石英晶体的各级温度系数

[压电石英晶体技术资料]有关石英晶振各级温度系数与切角的关系2018年05月12日 09:34

一级、二级、三级温度系数a0、b0和c0不仅与参考温度有关，而且还与石英晶振切角有关。AT切型的a0、b0、c0随角度的变化率为：

αa0/αφ1=-5.15×10-6/oC度；

αb0/αφ1=-4.7×10-9/oC2度；

αc0/αφ1=2.0×10-12/oC3度；

阅读（252）标签：

[压电石英晶体技术资料]频率温度特性曲线与特性方程2018年05月12日 09:06: 石英晶振作为一个频率元件，当然频率是至关重要的一项指标，频率直接影响着一个产品的是否优良性能，更是直接决定使用在哪方面领域的一个指标。下面CEOB2B晶振平台给大家介绍关于晶振的频率温度曲线和特性方程。; 阅读（116）标签：石英晶振|石英晶振频率特性及方程

[压电石英晶体技术资料]石英晶体的边界条件及应变2018年05月11日 09:31: 这样的边界条件称为边界自由条件。应该注意，边界自由条件表示边界上的应力等于零，而晶片内的应力一般并不等于零。但是在远低于石英晶体谐振频率的情况下，晶片内的应力也可近似认为等于零。所以在边界自由和低频的条件下测得的介电常数，才是自由介电常数εTmn。; 阅读（113）标签：石英晶体|石英晶体的边界条件及应变

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电常数与切型独家讲解2018年05月11日 08:54

CEOB2B晶振平台以下给大家介绍的是有关石英晶振的压电常数与切型,在前面的文章中我们有提到过石英晶振切型的选择与弹性常数,欢迎需要了解的新老用户登入平台查看.

石英晶体元件是通过逆压电效应进行工作的，所以切型设计与压电常数有关。通过上节讨论，我们已经知道石英晶体压电常数矩阵为：

阅读（574）标签：

[压电石英晶体技术资料]探讨石英晶振的压电方程公式2018年05月11日 08:52: 石英晶振的弹性性质所遵循的力学规律是用弹性方程来表达的。弹性方程反映了应力张量T与应变张量S之间的线性关系。同样，晶振的压电性质所遵循的机电规律是用压电方程来表达的，压电方程反映了D、E、T、S四个量之间的线性关系。; 阅读（126）标签：石英晶振|探讨石英晶振的压电方程公式

[压电石英晶体技术资料]石英晶振逆压电效应如何表示2018年05月10日 10:16: 石英晶振的逆压电效应由上述讨论可知，既然形变能使压电晶体的电偶极矩发生变化，那么电偶极矩的变化也能使之产生形变。逆压电效应就是在电场的作用下，电偶极矩发生变化的同时产生形变。我们已经知道，石英晶体的正应变S1，S2和切应变S4。都能使电偶极矩在x方向分量发生变化。; 阅读（129）标签：石英晶振|石英晶振逆压电效应如何表示

[新闻动态]详情介绍滤波器分类及定义功能2018年05月10日 09:52: 滤波器是对波进行过滤的器件。“波”是一个非常广泛的物理概念，在电子技术领域，“波”被狭义地局限于特指描述各种物理量的取值随时间起伏变化的过程。该过程通过各类传感器的作用，被转换为电压或电流的时间函数，称之为各种物理量的时间波形，或者称之为信号。; 阅读（133）标签：滤波器|详情介绍滤波器分类及定义功能

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电性质分析之晶振的正压电效应讲解2018年05月10日 09:46: 当石英晶体受到应力作用时，在它的表面上出现电荷，而且应力与面电荷密度之间存在线性关系，这个现象称为正压电效应。而当石英晶振受到电场作用时，在它的某些方向出现应变，而且电场强度与应变之间存在线性关系，这个现象称为逆压电效应。本节主要介绍石英晶体的结构与压电性质：正压电效应表达式和逆压电效应表达式。; 阅读（80）标签：

[新闻动态]声表面滤波器幅频特性及结构示意图2018年05月09日 10:25: 声表面滤波器（SWA）虽为模拟器件，但由于其良好的滤波特性，在众多领域被广泛应用，特别是在有线电视系统中，图像中频滤波器、伴音滤波器、频道残留边带滤波器等SWAF器件均为实现邻频传输的关键。除此之外，在 GPS接收机中的前端滤波器，由于具有抗干扰能力强的特点，SAW器件也被大量采用。; 阅读（63）标签：声表面滤波器|声表面滤波器幅频特性及结构示意图

[新闻动态]石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式2018年05月09日 09:44: 能够产生振荡电流的电路叫做振荡电路。一般由电阻、电感、电容，石英晶振等元件和电子器件所组成。由电感线圈l和电容器c相连而成的lc电路是最简单的一种石英晶体振荡器振荡电路，其固有频率为f=[sx(]1[]2πlc; 阅读（122）标签：石英晶体振荡器|石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式

[压电石英晶体技术资料]有关SAW滤波器的设计讲解（二）2018年05月09日 09:27: 带有换能器和匹配电路的基板被放置在通常用作统一芯片外壳之一的公共外壳中.表面活性剂过滤器的特性主要取决于将电信号转换成声表面滤波器的频率选择过程,反之亦然,即这取决于SAW换能器,即,数量,几何尺寸和在所述转换器的电极的相互布置的拓扑结构,在相邻的电极（间隙长度）的电极连接到一个共同的求和轮胎的序列的重叠区域的长度.应用这种或那种转换器的拓扑结构,可以实现具有最多样化特征的滤波器.; 阅读（456）标签：

[压电石英晶体技术资料]有关SAW滤波器的设计讲解（一）2018年05月09日 09:03: SAW滤波器器件中的信息载体是弹性振荡的能量集中在固体的薄的近表面层中的波.压电石英晶体被用作传播介质.为了将电信号转换为声学和后向,并且还反射和改变声波的传播路径,使用施加到压电基板的表面的金属结构.声波的激发和接收是在表面活性剂的输入和输出转换器的帮助下进行的,其中电极的数量可以不同（从一个到几千）.; 阅读（134）标签：

[新闻动态]MEMS振荡器测试系统现状及未来展望（一）2018年05月08日 09:18: MEMS振荡器产品制造与经典的IC 最大区别在于其含有机械部分，封装环节占整个器件成本的大部分，如果在最终封装之后测出器件失效不但浪费成本，还浪费了研究和开发（R&D）、工艺过程和代工时间，因此，MEMS产品的晶圆级测试在早期产品功能测试、可靠性分析及失效分析中，可以降低产品成本和加速上市时间，对于微机电系统产业化非常关键。; 阅读（61）标签：MEMS振荡器|MEMS振荡器测试系统现状及未来展望

[压电石英晶体技术资料]ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较（一）2018年05月08日 08:50: 所有电子产品在使用期间都会受到冲击和振动,包括石英晶振,贴片晶振产品.从口袋或背包中携带的移动消费产品所经历的运动到工业设备或航空航天应用的高振动水平,力量范围可以不一样.即使是建筑物中的静止产品也可能会受到附近风扇或其他设备的振动.因此,重要的是要考虑电子元件在冲击和振动情况下的表现.表1显示了各种环境下的典型加速度水平.; 阅读（233）标签：

[新闻动态]设计PCB布局需考虑到的石英晶振2018年05月07日 09:44: 振荡电路中信号图案长度应尽可能短，尽可能减少杂散电容/电感。不应在振荡电路中使用插孔，否则会引起很大的EMI。接地或是信号通道不应置于多层电路板的中间层，从而与振荡电路重叠，因为这样一来，地面和石英晶振振荡电路间的杂散电容将会增加。; 阅读（197）标签：晶振|设计PCB布局需考虑到的石英晶振

[新闻动态]实验石英晶振稳频多谐振荡器电路2018年05月05日 10:06: 当要求多谐振荡器的工作频率稳定性很高时，上述几种多谐振荡器的精度已不能满足要求。为此常用石英晶振作为信号频率的基准。用石英晶体与门电路构成的多谐振荡器常用来为微型计算机等提供时钟信号。; 阅读（157）标签：石英晶振|实验石英晶振稳频多谐振荡器电路

[新闻动态]SITIME硅晶振制作工艺过程2018年05月05日 09:11: 在结构加工成形后,通过选择腐蚀的方法将牺牲层腐蚀掉，使结构材料悬空于基片之上，形成各种形状的二维或三维结构。表面SITIME硅晶振MEMS加工技术工艺成熟，与IC工艺兼容性好，可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个MEMS装置。; 阅读（492）标签：SITIME硅晶振|SITIME硅晶振制作工艺过程

[新闻动态]SITIME晶振的MEMS晶振加工工艺2018年05月04日 10:14: 国外也有多条面向多用户提供标准体硅加工的工艺线，如美国的IMT、美国SITIME晶振,法国的Tronics 等，国内主要采用了体硅MEMS加工技术，目前主要的体硅工艺包括湿法SOG (玻璃上硅) 工艺、干法SOG 工艺、正面体硅工艺、SOI (绝缘体上硅)工艺，在国内这些工艺基本形成了标准化工艺; 阅读（115）标签：SITIME晶振|SITIME晶振的MEMS晶振加工工艺

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