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中国台产晶振 :: 泰艺晶振TAITIENcrystal; TXC晶振TXCcrystal; 鸿星晶振HOSONICcrystal; 希华晶振SIWARDcrystal; 加高晶振HELEcrystal; 百利通亚陶晶振DiodesCrystal; 嘉硕晶振TSTcrystal; 津绽晶振NSKcrystal; 玛居礼晶振MERCURYcrystal; 应达利晶振Interquip Crystal; AKER晶振; NKG晶振NKGCrystal

欧美石英晶振 :: CTS晶振CTScrystal; 微晶晶振Microcrystal; 瑞康晶振RakonCrystal; 康纳温菲尔德ConnorWinfield; 高利奇晶振GolledgeCrystal; Jauch晶振JauchCrystal; AbraconCrystalAbraconCrystal; 维管晶振VectronCrystal; ECScrystal晶振ECScrystal; 日蚀晶振ECLIPTEKcrystal; 拉隆晶振RaltronCrystal; 格林雷晶振GreenrayCrystal; SiTimeCrystalSiTimeCrystal; IDTcrystal晶振IDTcrystal; Pletronics晶振PletronicsCrystal; StatekCrystalStatekCrystal; AEK晶振AEKCrystal; AEL晶振AELcrystal; Cardinal晶振Cardinalcrystal; Crystek晶振Crystekcrystal; Euroquartz晶振Euroquartzcrystal; 福克斯晶振FOXcrystal; Frequency晶振Frequencycrystal; GEYER晶振GEYERcrystal; ILSI晶振ILSIcrystal; KVG晶振KVGcrystal; MMDCOMP晶振MMDCOMPcrystal; MtronPTI晶振MtronPTIcrystal; QANTEK晶振QANTEKcrystal; QuartzCom晶振QuartzComcrystal; QuartzChnik晶振QuartzChnikcrystal; SUNTSU晶振SUNTSUcrystal; Transko晶振Transkocrystal; WI2WI晶振WI2WIcrystal; 韩国三呢晶振SUNNY Crystal; ITTI晶振ITTICrystal; Oscilent晶振OscilentCrystal; ACT晶振ACTCrystal; Lihom晶振LihomCrystal; Rubyquartz晶振RubyquartzCrystal; SHINSUNG晶振SHINSUNGCrystal; PDI晶振PDICrystal; MTI-milliren晶振MTImillirenCrystal; IQD晶振IQDCrystal; Microchip晶振MicrochipCrystal; Silicon晶振SiliconCrystal; 富通晶振FortimingCrystal; 科尔晶振CORECrystal; NIPPON晶振NIPPONCrystal; NIC晶振NICCrystal; QVS晶振QVSCrystal; Bomar晶振BomarCrystal; 百利晶振BlileyCrystal; GED晶振GEDCrystal; 菲特罗尼克斯晶振FiltroneticsCrystal; STD晶振STDCrystal; Q-Tech晶振Q-TechCrystal; 安德森晶振AndersonCrystal; 文泽尔晶振WenzelCrystal; 耐尔晶振NELCrystal; EM晶振EMCrystal; 彼得曼晶振PETERMANNCrystal; FCD-Tech晶振FCD-TechCrystal; HEC晶振HECCrystal; FMI晶振FMICrystal; 麦克罗比特晶振MacrobizesCrystal; AXTAL晶振AXTALCrystal; ARGO晶振; Skyworks晶振; Renesas瑞萨晶振

有源晶振 :: 石英晶体振荡器; 温补晶振; 压控晶振; VC-TCXO晶振; 差分晶振; 32.768K有源; 恒温晶振

贴片晶振 :: 5070晶振; 6035晶振; 5032晶振; 3225晶振; 2520晶振; 2016晶振; 1612晶振; 1210晶振; 8045晶振

32.768K晶振 :: 10.4x4.0晶振; 8.0x3.8晶振; 7.1x3.3晶振; 7.0x1.5晶振; 5.0x1.8晶振; 4.1x1.5晶振; 3.2x1.5晶振; 2.0x1.2晶振; 1.6x1.0晶振

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: SUNTSU晶振,有源晶振,SQC53C晶振,4脚OSC晶振

频率:1~133MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: SUNTSU晶振,有源晶振,SXO53H晶振,HCSL晶振

频率:100~125MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: SUNTSU晶振,有源晶振,SQG32L晶振,LVDS晶振

频率:8~1500MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

贴片式3225晶振,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: SUNTSU晶振,有源晶振,SQG22L晶振,OSC贴片式晶振

频率:8~1500MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: SUNTSU晶振,有源晶振,SQG22P晶振,表面贴片式晶振

频率:8~1500MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

有源晶振,是只石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: SUNTSU晶振,有源晶振,SXO21C晶振,石英晶体振荡器

频率:1~60MHZ

尺寸:2.0*1.6mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: ILSI晶振,温补晶振,I123/I323晶振,插件TCXO晶振

频率:9.6~40MHZ

尺寸:18.3*11.7mm

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上较薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较有品质的数码通讯产品领域,导航定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
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: ILSI晶振,温补晶振,I533/I534/I733/I734晶振,5032温度补偿晶振

频率:8~40MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

Oscillator,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: ILSI晶振,温补晶振,I583/I783晶振,2520移动通信晶振

频率:26MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上较薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较有品质的数码通讯产品领域,导航定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
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: ILSI晶振,温补晶振,I593/I793晶振,温补3225晶振

频率:10~1450MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: ILSI晶振,温补晶振,I547/I747晶振,TCXO晶振

频率:10~52MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: ILSI晶振,压控晶振,I607晶振,5*7晶振

频率:1~77.76MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品OSC晶振被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: ILSI晶振,压控晶振,I604晶振,SMD Oscillator

频率:77.76~200MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振,是只石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: ILSI晶振,32.768K有源晶振,ISM37晶振,时钟OSC晶振

频率:32.768KHZ

尺寸:1.6*1.2mm

贴片式Oscillator Crystal,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: ILSI晶振,有源晶振,ISM61晶振,贴片有源晶振

频率:250KHZ~150MHZ

尺寸:13.4*9.0mm

有源晶振,是只石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: 艾尔西晶振,有源晶振,ISM95晶振,2520mm晶振

频率:1~60MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: 艾尔西晶振,有源晶振,ISM65晶振,美国OSC晶振

频率:1~180MHZ

尺寸:14.3*10.2mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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: 艾尔西晶振,有源晶振,ISM98晶振,低噪声贴片晶振

频率:1~180MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

5070晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: 艾尔西晶振,有源晶振,ISM81晶振,贴片石英振荡器

频率:1~125MHZ

尺寸:7.0*5.0mm

有源晶振,是只石英晶体振荡器本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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: 艾尔西晶振,有源晶振,ISM16晶振,小体积贴片晶振

频率:1~80MHZ

尺寸:1.6*1.2mm

有源晶振,是只石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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