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中国台产晶振 :: 泰艺晶振TAITIENcrystal; TXC晶振TXCcrystal; 鸿星晶振HOSONICcrystal; 希华晶振SIWARDcrystal; 加高晶振HELEcrystal; 百利通亚陶晶振DiodesCrystal; 嘉硕晶振TSTcrystal; 津绽晶振NSKcrystal; 玛居礼晶振MERCURYcrystal; 应达利晶振Interquip Crystal; AKER晶振; NKG晶振NKGCrystal

欧美石英晶振 :: CTS晶振CTScrystal; 微晶晶振Microcrystal; 瑞康晶振RakonCrystal; 康纳温菲尔德ConnorWinfield; 高利奇晶振GolledgeCrystal; Jauch晶振JauchCrystal; AbraconCrystalAbraconCrystal; 维管晶振VectronCrystal; ECScrystal晶振ECScrystal; 日蚀晶振ECLIPTEKcrystal; 拉隆晶振RaltronCrystal; 格林雷晶振GreenrayCrystal; SiTimeCrystalSiTimeCrystal; IDTcrystal晶振IDTcrystal; Pletronics晶振PletronicsCrystal; StatekCrystalStatekCrystal; AEK晶振AEKCrystal; AEL晶振AELcrystal; Cardinal晶振Cardinalcrystal; Crystek晶振Crystekcrystal; Euroquartz晶振Euroquartzcrystal; 福克斯晶振FOXcrystal; Frequency晶振Frequencycrystal; GEYER晶振GEYERcrystal; ILSI晶振ILSIcrystal; KVG晶振KVGcrystal; MMDCOMP晶振MMDCOMPcrystal; MtronPTI晶振MtronPTIcrystal; QANTEK晶振QANTEKcrystal; QuartzCom晶振QuartzComcrystal; QuartzChnik晶振QuartzChnikcrystal; SUNTSU晶振SUNTSUcrystal; Transko晶振Transkocrystal; WI2WI晶振WI2WIcrystal; 韩国三呢晶振SUNNY Crystal; ITTI晶振ITTICrystal; Oscilent晶振OscilentCrystal; ACT晶振ACTCrystal; Lihom晶振LihomCrystal; Rubyquartz晶振RubyquartzCrystal; SHINSUNG晶振SHINSUNGCrystal; PDI晶振PDICrystal; MTI-milliren晶振MTImillirenCrystal; IQD晶振IQDCrystal; Microchip晶振MicrochipCrystal; Silicon晶振SiliconCrystal; 富通晶振FortimingCrystal; 科尔晶振CORECrystal; NIPPON晶振NIPPONCrystal; NIC晶振NICCrystal; QVS晶振QVSCrystal; Bomar晶振BomarCrystal; 百利晶振BlileyCrystal; GED晶振GEDCrystal; 菲特罗尼克斯晶振FiltroneticsCrystal; STD晶振STDCrystal; Q-Tech晶振Q-TechCrystal; 安德森晶振AndersonCrystal; 文泽尔晶振WenzelCrystal; 耐尔晶振NELCrystal; EM晶振EMCrystal; 彼得曼晶振PETERMANNCrystal; FCD-Tech晶振FCD-TechCrystal; HEC晶振HECCrystal; FMI晶振FMICrystal; 麦克罗比特晶振MacrobizesCrystal; AXTAL晶振AXTALCrystal; ARGO晶振; Skyworks晶振; Renesas瑞萨晶振

有源晶振 :: 石英晶体振荡器; 温补晶振; 压控晶振; VC-TCXO晶振; 差分晶振; 32.768K有源; 恒温晶振

贴片晶振 :: 5070晶振; 6035晶振; 5032晶振; 3225晶振; 2520晶振; 2016晶振; 1612晶振; 1210晶振; 8045晶振

32.768K晶振 :: 10.4x4.0晶振; 8.0x3.8晶振; 7.1x3.3晶振; 7.0x1.5晶振; 5.0x1.8晶振; 4.1x1.5晶振; 3.2x1.5晶振; 2.0x1.2晶振; 1.6x1.0晶振

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: ECLIPTEK晶振,E1SAA晶振,E1SAA12-24.000M,49SMD晶振

频率:24MHz 尺寸:13.3*3.2mm

普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.
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: KDS晶振,DSV753SV晶振,VCXO晶振

频率:2~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SK晶振,贴片型压控晶振

频率:40~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SJ晶振,VCXO晶振

频率:80~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SD晶振,压控晶体振荡器

频率:80~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SB晶振,有源晶振

频率:4~50MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753HV晶振,OSC振荡器

频率:170~230MHz 尺寸:5.0*7.0mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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: KDS晶振,DSV753HK晶振,差分振荡器

频率:170~350MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753HJ晶振,有源贴片晶振

频率:170~350MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753CK晶振,压控晶振

频率:350~700MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753CJ晶振,压控晶振

频率:350~700MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV531SB/DSV532SB晶振,贴片有源晶体振荡器

频率:5~50MHz 尺寸:5.0*3.2mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV531SV/DSV532SV晶振,压控晶振

频率:1.25~80MHz 尺寸:5.0*3.2mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SV晶振,VCXO晶振

频率:6.75~186MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SK晶振,贴片晶振

频率:40~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SJ晶振,有源晶振

频率:80~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SD晶振,OSC晶振

频率:80~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV321SV晶振,3225贴片晶振

频率:6.75~90MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV321SR晶振,压控晶振

频率:13.5~54MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV221SV晶振,贴片压控振荡器

频率:6.75~90MHz 尺寸:2.5*2.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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