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有源晶振 :: 石英晶体振荡器; 温补晶振; 压控晶振; VC-TCXO晶振; 差分晶振; 32.768K有源; 恒温晶振

贴片晶振 :: 5070晶振; 6035晶振; 5032晶振; 3225晶振; 2520晶振; 2016晶振; 1612晶振; 1210晶振; 8045晶振

32.768K晶振 :: 10.4x4.0晶振; 8.0x3.8晶振; 7.1x3.3晶振; 7.0x1.5晶振; 5.0x1.8晶振; 4.1x1.5晶振; 3.2x1.5晶振; 2.0x1.2晶振; 1.6x1.0晶振

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: ECLIPTEK晶振,E1SFA晶振,E1SFA18-12.000M TR,贴片石英晶振

频率:12MHz 尺寸:13.3*3.2mm

普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.
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: ECLIPTEK晶振,E1SAA晶振,E1SAA18-25.000M TR,贴片石英晶振

频率:25MHz 尺寸:13.3*3.2mm

普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.
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: ECLIPTEK晶振,E1SAA晶振,E1SAA12-24.000M,49SMD晶振

频率:24MHz 尺寸:13.3*3.2mm

普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.
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: KDS晶振,DSV753SV晶振,VCXO晶振

频率:2~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SK晶振,贴片型压控晶振

频率:40~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SJ晶振,VCXO晶振

频率:80~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SD晶振,压控晶体振荡器

频率:80~170MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产小型、薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753SB晶振,有源晶振

频率:4~50MHz 尺寸:7.3*4.9mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753HV晶振,OSC振荡器

频率:170~230MHz 尺寸:5.0*7.0mm
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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: KDS晶振,DSV753HK晶振,差分振荡器

频率:170~350MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753HJ晶振,有源贴片晶振

频率:170~350MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753CK晶振,压控晶振

频率:350~700MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV753CJ晶振,压控晶振

频率:350~700MHz 尺寸:5.0*7.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV531SB/DSV532SB晶振,贴片有源晶体振荡器

频率:5~50MHz 尺寸:5.0*3.2mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV531SV/DSV532SV晶振,压控晶振

频率:1.25~80MHz 尺寸:5.0*3.2mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SV晶振,VCXO晶振

频率:6.75~186MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SK晶振,贴片晶振

频率:40~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SJ晶振,有源晶振

频率:80~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV323SD晶振,OSC晶振

频率:80~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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: KDS晶振,DSV321SV晶振,3225贴片晶振

频率:6.75~90MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。
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