石英晶振使用晶振从频率参数到测试老化,每一项都至关重要,那么有关石英晶振,贴片晶振的主要参数都有哪些呢?我们需要哪些事项呢?

负载电容：品振元件相当于电感，组成振荡电路时需配接外部电容，此电容目U负载电容。负载电容是与石英晶体一起决定负载谐振频率f的有效外界电容，通常用CL表示。设计电路时必须按产品手册巾规定的CL值，才能使振荡频率符合石英贴片晶振的fL。在应用石英晶体时，负载电容(C。)的值是卣接由厂家所提供的，无需冉去计算。常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。』I要可能就应选lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF这样的推荐值。

标称频率fo：存规定的负载电容下，石英晶振元件的振荡频率即为标称频率矗。标称频率足晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。需要注意的是，晶振晶体外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不足并联谐振频率，而足在外接负载电容时测定的频率，数值介于串联谐振频率与并联谐振频率之间。所以即使两个晶体外壳所标注的频率是一样的，其实际频率也会有些小的偏差（1．艺引起的离散性）.

负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率：一个是串联谐振品振的低负载电容晶振：另一个为并联谐振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求贞载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不止常。

温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度(25℃t2℃)时工作频率的允许偏差。

调整频差：在规定条件下，基准温度(25℃±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏若。

老化率：在规定条件下，晶振晶体T作频率随时间向允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。

静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，通常用c。表示（如图8-3所示）。  

负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻，用RL表示。在通常情况下，RL=R1（1十甜Ci）.

激励电平（功率）：晶振工作时会消耗的有效功率。在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励（容易振到高次谐波上），也不能欠激励（不容易起振）。常见的激励电平有2mW、ImW、0.5mW、0.2mW、O.lmW、50vw、20ptW、lOLr,W、1}r,W、O.I LiW等。选择晶体时至少应考虑负载谐振频率、负载电容、激励电平、温度频差及长期稳定性等情况。

负载谐振频率(ti,)：在规定条件卜，石英晶振,石英晶体与一个负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率巾的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，则足两个频率中较高的一个。 

动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻，用R1表示。  

频率精度和频率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，故对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从10-4—10-10量级不等。稳定度从±1～+lOOppm不等。要根据具体的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要更高要求的有源晶振,石英晶体振荡器。因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶搌，其价格不同。要求越商，价格也越贵，一般j{要满足要求即可。