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石英晶体振荡器的专业术语及应用说明

返回列表 来源:CEOB2B晶振平台 浏览:- 发布日期:2018-05-03 09:10:16【

CEOB2B晶振平台免费提供晶振型号规格查询,收集了海内外上百种晶振品牌,在这里你可以找到来自海内外各款项品牌晶振,为你解决采购一切烦恼.下文所介绍的是石英晶体振荡器的专业术语及应用说明.

标称频率:石英晶体振荡器的中心或标称输出频率.

封装:石英晶体振荡器从引脚通孔到表面贴装类型封装成各种类型.各种尺寸和功能适用于不同的应用.

晶振频率容差:在室温下以百万分率(ppm)表示的与标称频率的偏差.(25°±5°C)

频率范围:振荡器类型或型号可提供的频段.

频率稳定度:相对于在温度窗口25°C时测得的频率(即0°C至+ 70°C)的最大允许频率偏差.典型稳定度为±0.01%(±100 ppm).

有源晶振工作温度:输出频率和其他电气,环境特性符合规格的温度范围.

老化:相对频率在一段时间内发生变化.这种频率变化率通常是指数性的.通常情况下,最多1年的老化率为±5 ppm.

存储温度:在不损坏或改变设备性能的情况下安全存放设备的温度范围(未施加电源电压).

频率与电源变化:当电源电压在指定限制内变化时,允许的最大频率变化(典型值±10%Vcc或±5%变化).

电源电压(Vdd max):可以安全施加到Vcc端子相对于地的最大电压.TTL的最大电源电压为5.5V,HCMOS的最大电源电压为6V.

输入电压(VIN):可安全施加到石英晶体振荡器任何输入端的最大电压.

输出高电压(VOH):正常负载下振荡器输出端的最小电压.

输出低电压(VOL):适当负载下振荡器输出端的最大电压.

电源电流(Icc):流入Vcc端子的电流相对于地.典型的电源电流在无负载情况下测量

对称或占空比:输出波形在特定电平(TTL为1.4V,HCMOS为1 / 2Vcc或ECL为1/2波形峰值电平)时的对称性.SYM=TH/T×100(%); 参见图1.

上升时间(Tr):在指定电平(HCMOS,ECL为20%至80%,TTL为0.4V至2.4V)下,从低电平到高电平转换的波形上升时间.

下降时间(Tf):在特定电平(HCMOS,ECL为80%至20%,TTL为2.4V至0.4V)下测量的从高电平到低电平转换的波形下降时间.

scbxddcx

扇出:振荡器驱动能力的度量,表示为可由单个输出驱动的输入数量.它可以用等效负载电容(CL)或由二极管,负载电阻和电容组成的TTL负载电路来表示.

抖动:石英晶体振荡器输出的相位或频率的调制.

兼容HCMOS/TTL:该振荡器采用ACMOS逻辑设计,具有TTL和HCMOS负载的驱动能力,同时保持HCMOS的最小逻辑高电平.

三态使能:当输入保持OPEN或连接到逻辑“l”时,发生正常振荡.当输入接地(连接到逻辑“0”)时,输出处于高阻抗状态.输入有一个内部上拉电阻,允许输入保持开路.

输出逻辑:振荡器的输出设计符合各种指定的逻辑,如TTL,HCMOS,ECL,正弦,修剪正弦(直流切割).

谐波失真:由于与目标信号频率相关的不需要的谐波频谱成分引起的非线性失真.每个谐波分量是电功率与所需信号输出功率的比值,用dBc表示,即-20dBc.谐波失真指标尤其在正弦输出中很重要,因为要求干净且失真较少的信号.

相位噪声:衡量石英晶振,石英晶体振荡器的短时频率波动.通常将其指定为距载波指定偏置频率的1 Hz带宽内的单边带(SSB)功率密度.它以dBc/Hz为单位进行测量.

待机:临时关闭振荡器和其他分频器以节省功耗的功能.逻辑“0”将启用待机模式.待机模式下的禁用电流从几微安到几十微安(典型值为5pA).由于振荡暂停,输出稳定之前最多有10ms(启动时间相同).

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    【本文标签】:有源晶振 石英晶体振荡器的专业术语
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