Silicon Labs在世界各地大约有1300以上的员工,是全球最先进的硅晶振领航者企业,总部位于美国德克萨斯州的奥斯汀,除了这里Silicon晶振集团还在波士顿、加利福尼亚、挪威、新加坡、英国、芬兰、匈牙利等地创办了开发设计和生产销售部门,迅速的在全球扩大影响力,成为一流的进口晶振品牌。产品以卓越的可靠性,低消耗,寿命长,高性能等高品质,来回报客户多年的支持以及肯定。是现代智能化,环保化,节能化实行倡导和推行的技术型生产企业。
Silicon晶振集团专注于开发高精度和高稳定性的有源晶振领域,众所周知,石英晶体振荡器系列的生产技术,比普通的石英晶体要复杂得多,对于技术要求也更高。在业界里非常知名的日系和台产晶振品牌,多半都以无源晶振和32.768K的音叉型晶体为生产重点。美国的频率元件制造商却反其道而行之,研发低成本高可靠性的石英振荡子是美国晶振厂家的共同目标,Silicon晶振公司无疑是其中的佼佼者。
CEOB2B晶振平台提供 |
原厂代码 |
品牌 |
型号 |
频率 |
电压 |
频率稳定度 |
尺寸 |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA27M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
27MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA12M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
12MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA24M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
24MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA27M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
27MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA100M000DAF |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA10M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA10M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA10M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA10M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA12M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
12MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501BCA16M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
16MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501BCA16M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
16MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA20M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
20MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA20M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
20MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA24M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
24MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
在美国Silicon集团是排行前五十名的技术型的企业,产品具有多样化,国际化等特点,除了石英晶体振荡器,同时还在制作电源,隔离器,传感器,无线模块,音视频,调制解调器,接口,微控制器,USB桥接器等十几种重要的电子配件。但真正让Silicon集团享誉国际的是石英晶振产品,并且都非常小型化,薄型化,微小型的2520晶振封装的501JCA100M000DAF晶振编码,是Silicon公司旗下Si501晶振系列的其中一个代码,这个型号的每个规格都有一对一单独的原厂编码。
CEOB2B晶振平台提供 |
原厂代码 |
品牌 |
型号 |
频率 |
电压 |
频率稳定度 |
尺寸 |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA25M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
25MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA25M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
25MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA26M0000DAF |
Silicon |
Si501 |
26MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA26M0000DAG |
Silicon |
Si501 |
26MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA100M000DAF |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA100M000DAG |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA100M000DAG |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA10M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA10M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA10M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA10M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
10MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA12M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
12MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA12M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
12MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501BCA16M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
16MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501BCA16M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
16MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
Silicon晶振公司拥有突破大体积,低精度领域的决心和积极性,在现今各大中小型生产厂家们对有源晶振的需求越来越大时,Silicon对自己产品的技术性也越来越高,小体积和高精准度是最低的要求。501JCA100M000DAF晶振编码代表的2.5*2.0mm的小尺寸的低电压的振荡器系列产品,从批量生产到投入市场,一直紧紧的吸引着代理商和生产厂家们目光,尤其是打开中国市场之后,Silicon有源石英晶振就像是步入了一个新台阶,成为了中国大陆用户们一个新选择。
CEOB2B晶振平台提供 |
原厂代码 |
品牌 |
型号 |
频率 |
电压 |
频率稳定度 |
尺寸 |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA20M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
20MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA20M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
20MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA24M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
24MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA24M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
24MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA25M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
25MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA25M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
25MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA26M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
26MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA26M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
26MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA27M0000DAFR |
Silicon |
Si501 |
27MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501HCA27M0000DAGR |
Silicon |
Si501 |
27MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA100M000DAFR |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501ACA100M000DAGR |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
1.7 V ~ 3.6 V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA100M000DAFR |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |
CEOB2B晶振平台 |
501JCA100M000DAGR |
Silicon |
Si501 |
100MHz |
3.3V |
±20ppm |
2.50mm x 2.00mm |