欢迎来到CEOB2B晶振平台

咨询热线:

0755-27839045

日产进口晶振 :
KDS晶振KDScrystal
爱普生晶振EPSONcrystal
NDK晶振NDKcrystal
京瓷晶振KyoceraCrystal
精工晶振SEIKOcrystal
西铁城晶振CITIZENcrystal
村田晶振MurataCrystal
大河晶振RiverCrystal
富士晶振FujicomCrystal
SMI晶振SMICrystal
NAKA晶振NAKACrystal
NJR晶振NJRCrystal
中国台产晶振 :
泰艺晶振TAITIENcrystal
TXC晶振TXCcrystal
鸿星晶振HOSONICcrystal
希华晶振SIWARDcrystal
加高晶振HELEcrystal
百利通亚陶晶振DiodesCrystal
嘉硕晶振TSTcrystal
津绽晶振NSKcrystal
玛居礼晶振MERCURYcrystal
应达利晶振Interquip Crystal
AKER晶振
NKG晶振NKGCrystal
欧美石英晶振 :
CTS晶振CTScrystal
微晶晶振Microcrystal
瑞康晶振RakonCrystal
康纳温菲尔德ConnorWinfield
高利奇晶振GolledgeCrystal
Jauch晶振JauchCrystal
AbraconCrystalAbraconCrystal
维管晶振VectronCrystal
ECScrystal晶振ECScrystal
日蚀晶振ECLIPTEKcrystal
拉隆晶振RaltronCrystal
格林雷晶振GreenrayCrystal
SiTimeCrystalSiTimeCrystal
IDTcrystal晶振IDTcrystal
Pletronics晶振PletronicsCrystal
StatekCrystalStatekCrystal
AEK晶振AEKCrystal
AEL晶振AELcrystal
Cardinal晶振Cardinalcrystal
Crystek晶振Crystekcrystal
Euroquartz晶振Euroquartzcrystal
福克斯晶振FOXcrystal
Frequency晶振Frequencycrystal
GEYER晶振GEYERcrystal
ILSI晶振ILSIcrystal
KVG晶振KVGcrystal
MMDCOMP晶振MMDCOMPcrystal
MtronPTI晶振MtronPTIcrystal
QANTEK晶振QANTEKcrystal
QuartzCom晶振QuartzComcrystal
QuartzChnik晶振QuartzChnikcrystal
SUNTSU晶振SUNTSUcrystal
Transko晶振Transkocrystal
WI2WI晶振WI2WIcrystal
韩国三呢晶振SUNNY Crystal
ITTI晶振ITTICrystal
Oscilent晶振OscilentCrystal
ACT晶振ACTCrystal
Lihom晶振LihomCrystal
Rubyquartz晶振RubyquartzCrystal
SHINSUNG晶振SHINSUNGCrystal
PDI晶振PDICrystal
MTI-milliren晶振MTImillirenCrystal
IQD晶振IQDCrystal
Microchip晶振MicrochipCrystal
Silicon晶振SiliconCrystal
富通晶振FortimingCrystal
科尔晶振CORECrystal
NIPPON晶振NIPPONCrystal
NIC晶振NICCrystal
QVS晶振QVSCrystal
Bomar晶振BomarCrystal
百利晶振BlileyCrystal
GED晶振GEDCrystal
菲特罗尼克斯晶振FiltroneticsCrystal
STD晶振STDCrystal
Q-Tech晶振Q-TechCrystal
安德森晶振AndersonCrystal
文泽尔晶振WenzelCrystal
耐尔晶振NELCrystal
EM晶振EMCrystal
彼得曼晶振PETERMANNCrystal
FCD-Tech晶振FCD-TechCrystal
HEC晶振HECCrystal
FMI晶振FMICrystal
麦克罗比特晶振MacrobizesCrystal
AXTAL晶振AXTALCrystal
ARGO晶振
Skyworks晶振
Renesas瑞萨晶振
有源晶振 :
石英晶体振荡器
温补晶振
压控晶振
VC-TCXO晶振
差分晶振
32.768K有源
恒温晶振
贴片晶振 :
5070晶振
6035晶振
5032晶振
3225晶振
2520晶振
2016晶振
1612晶振
1210晶振
8045晶振
32.768K晶振 :
10.4x4.0晶振
8.0x3.8晶振
7.1x3.3晶振
7.0x1.5晶振
5.0x1.8晶振
4.1x1.5晶振
3.2x1.5晶振
2.0x1.2晶振
1.6x1.0晶振
为你解决国内外知名品牌产品料号代码,查询对照

在线品牌会员

当前位置首页 » 关于我们 » 压电石英晶体技术资料 » 晶振离子束刻蚀设备

晶振离子束刻蚀设备

返回列表 来源:CEOB2B晶振平台 浏览:- 发布日期:2018-02-26 08:41:58【

在前面的文章中我们介绍了石英晶振的由来,工作原理,以及晶振频率的微调研究,离子束加工原理等技术资料,接下来CEOB2B晶振平台要给大家介绍的是晶振离子束刻蚀设备.

离子束刻蚀需要使用适当的电压和电流将某种气体电离成离子,然后对其进行聚焦和加速,使之形成高能的离子束对工件进行加工。这些过程在大气压状态是无法完成的,所以离子刻蚀加工必须在高真空环境中进行。为此石英晶振离子束刻蚀设备必须包括真空腔和排气系统。此外,为了产生高能离子束还必须有离子源以及控制离子源的电源系统。最后,根据加工的石英贴片晶振和目的不同,还需要配备不同的监测系统和控制系统。

3.3.1离子

离子源也称离子枪,是产生高能离子束的装置。因此,离子源是这个离子刻蚀设备的核心。离子源的工作状态决定着整个石英晶振晶体设备的工作效率和刻蚀精度。并且,在不同的应用中,离子源的种类也各不相同。为此,在实际应用中,一般用以下参数来衡量离子源的性能:

1.束流强度和束流密度。离了束的离子流的大小称为束流强度,表示。离子束的单位面积上的离子流大小称为束流密度,J表示。当离子束的横截面是S,: I=JS。当其他因素不变时,束流强度或束流密度增大时,离子刻蚀的能力就增大。

2.离子束的尺寸和张角。离了束的尺是指离子束直径的大小。离子束的张角则是指当使用的宽离子束是汇聚束或发散束时的收敛角或发散角。或者细直径离子束的束救角。

3.气体利用率。也就是气体输入离子源后,经过电离、聚焦和加速后能成为有效离子的百分比。

4.功率和效率。效率是指高子源输出的高能离子束的能量与输入离子源的能量的比。在石英晶振,石英晶体振荡器实际应用中,为了提高能源的利用率,必须尽可能的提高离子源的效率。

5.离子源的运行特性。运行特性用于衡量离子源工作的稳定性和可靠性。保证设备能够安定的生产。

3.3.2工作腔

真空腔的大小要适中或者将真空腔分为加工室和准备室,加工室一直保持高真空。这样可以减轻真空泵的负担减少抽真空所需的时间。另外,在真空腔中需安装摆放石英晶体,贴片晶振等工件的工作台。工作台的移动可以通过马达或R0B0T控制,以便调整离子束与工件的位置。当马达在真空腔外时,还必须保证转动轴的真空密封性。避免由于转动轴处发生空气泄露,破坏加工的真空环境,影响晶振加工的品质。同时空气泄露后会加重真空泵的负担,如果是湿泵还容易加速真空油的劣化,缩短真空泵的使用寿命:工作台和离子源按不同应用可以分别配备水冷循环系统,对工件与离子源进行降温,以保证石英晶振的品质与离子源的出力稳定。最后,真空腔还应有一个观察窗口,以便观察加工的情况。

3.3.3排气系统

排气系统一般分两段对真空腔进行排气,先用油旋转泵等低真空泵排气,使真空度达到0Pa左右,然后用油扩散泵等高真空泵排气,使得真空腔达到各种加工所要求的高真空度。一般情况下,真空腔的本底真空度应高于103Pa,这样可以避免真空腔内混入过多的其他气体分子和水蒸气,这些气体分子和水蒸气不仅对离子源出力的稳定产生影响,还会污染石英贴片晶振工件,降低产品品质。此外在使用油扩散泵时,还必须在泵前加装冷凝阱防止油蒸汽付真空腔的污染。

3.4离子束刻蚀的应用

离子束蚀具有多项优点:入射离子的方向性很强,刻蚀分辨率高,能刻蚀任何材料,一次能刻蚀多层材料,刻蚀在高真空中进行,刻蚀过程不易受污染。因此被广泛应用于电子工业、生物医疔等行业中.

首先,出于离子束刻蚀具有上述优点,在电子工业中特别适合于对半导体元件的引线制作和图形刻蚀,以及石英晶振晶片的减薄加工。其次,在生物医疗应用中,可以将人造器官的表面刻蚀成特定的结构,使人体的组织在其表面容易生长。另外,在电子显微镜和做表面分析用的试样制备中,出于离子束刻蚀使用物理的撞击效应和溅射效应,并且分辨率高容易控制,因此可以制成无化学污染的高质量的试样。