欢迎来到CEOB2B晶振平台

咨询热线:

0755-27839045

日产进口晶振 :
KDS晶振KDScrystal
爱普生晶振EPSONcrystal
NDK晶振NDKcrystal
京瓷晶振KyoceraCrystal
精工晶振SEIKOcrystal
西铁城晶振CITIZENcrystal
村田晶振MurataCrystal
大河晶振RiverCrystal
富士晶振FujicomCrystal
SMI晶振SMICrystal
NAKA晶振NAKACrystal
NJR晶振NJRCrystal
中国台产晶振 :
泰艺晶振TAITIENcrystal
TXC晶振TXCcrystal
鸿星晶振HOSONICcrystal
希华晶振SIWARDcrystal
加高晶振HELEcrystal
百利通亚陶晶振DiodesCrystal
嘉硕晶振TSTcrystal
津绽晶振NSKcrystal
玛居礼晶振MERCURYcrystal
应达利晶振Interquip Crystal
AKER晶振
NKG晶振NKGCrystal
欧美石英晶振 :
CTS晶振CTScrystal
微晶晶振Microcrystal
瑞康晶振RakonCrystal
康纳温菲尔德ConnorWinfield
高利奇晶振GolledgeCrystal
Jauch晶振JauchCrystal
AbraconCrystalAbraconCrystal
维管晶振VectronCrystal
ECScrystal晶振ECScrystal
日蚀晶振ECLIPTEKcrystal
拉隆晶振RaltronCrystal
格林雷晶振GreenrayCrystal
SiTimeCrystalSiTimeCrystal
IDTcrystal晶振IDTcrystal
Pletronics晶振PletronicsCrystal
StatekCrystalStatekCrystal
AEK晶振AEKCrystal
AEL晶振AELcrystal
Cardinal晶振Cardinalcrystal
Crystek晶振Crystekcrystal
Euroquartz晶振Euroquartzcrystal
福克斯晶振FOXcrystal
Frequency晶振Frequencycrystal
GEYER晶振GEYERcrystal
ILSI晶振ILSIcrystal
KVG晶振KVGcrystal
MMDCOMP晶振MMDCOMPcrystal
MtronPTI晶振MtronPTIcrystal
QANTEK晶振QANTEKcrystal
QuartzCom晶振QuartzComcrystal
QuartzChnik晶振QuartzChnikcrystal
SUNTSU晶振SUNTSUcrystal
Transko晶振Transkocrystal
WI2WI晶振WI2WIcrystal
韩国三呢晶振SUNNY Crystal
ITTI晶振ITTICrystal
Oscilent晶振OscilentCrystal
ACT晶振ACTCrystal
Lihom晶振LihomCrystal
Rubyquartz晶振RubyquartzCrystal
SHINSUNG晶振SHINSUNGCrystal
PDI晶振PDICrystal
MTI-milliren晶振MTImillirenCrystal
IQD晶振IQDCrystal
Microchip晶振MicrochipCrystal
Silicon晶振SiliconCrystal
富通晶振FortimingCrystal
科尔晶振CORECrystal
NIPPON晶振NIPPONCrystal
NIC晶振NICCrystal
QVS晶振QVSCrystal
Bomar晶振BomarCrystal
百利晶振BlileyCrystal
GED晶振GEDCrystal
菲特罗尼克斯晶振FiltroneticsCrystal
STD晶振STDCrystal
Q-Tech晶振Q-TechCrystal
安德森晶振AndersonCrystal
文泽尔晶振WenzelCrystal
耐尔晶振NELCrystal
EM晶振EMCrystal
彼得曼晶振PETERMANNCrystal
FCD-Tech晶振FCD-TechCrystal
HEC晶振HECCrystal
FMI晶振FMICrystal
麦克罗比特晶振MacrobizesCrystal
AXTAL晶振AXTALCrystal
ARGO晶振
Skyworks晶振
Renesas瑞萨晶振
有源晶振 :
石英晶体振荡器
温补晶振
压控晶振
VC-TCXO晶振
差分晶振
32.768K有源
恒温晶振
贴片晶振 :
5070晶振
6035晶振
5032晶振
3225晶振
2520晶振
2016晶振
1612晶振
1210晶振
8045晶振
32.768K晶振 :
10.4x4.0晶振
8.0x3.8晶振
7.1x3.3晶振
7.0x1.5晶振
5.0x1.8晶振
4.1x1.5晶振
3.2x1.5晶振
2.0x1.2晶振
1.6x1.0晶振
为你解决国内外知名品牌产品料号代码,查询对照

在线品牌会员

当前位置首页 » 关于我们 » 压电石英晶体技术资料 » 基于晶振的威力传感器的发展(续篇)

基于晶振的威力传感器的发展(续篇)

返回列表 来源:CEOB2B晶振平台 浏览:- 发布日期:2018-03-09 10:37:14【

接着前面的文章我们继续分析基于晶振的微力传感器的发展.有不懂的问题可以到CEOB2B晶振平台晶振技术资料中查看,有关石英晶振的各种型号,参数信息均可查到.

非接触模式是控制探针在样品表面上方扫描,始终不与晶振样品表面接触因而针尖不会对样品造成污染或产生破坏,避免了接触模式中遇到的一些问题。针尖和样品之间的作用力是很弱的长程作用力一范德华吸引力。非接触模式是测量长程力所采用的方法,其分辨率比接触模式的分辨率要低,由于针尖很容易被表面吸附气体的表面压吸附到样品表面,造成图像数据不稳定和对样品的破坏。因此非接触模式操作实际上较为困难,并且通常不适合在液体中成像。

轻敲模式介于接触模式和非接触模式之间(13l。其特点是扫描过程中微悬臂也是振荡的并具有比非接触更大的振幅(大于20nm),针尖在振荡时间断地与样品接触。由于针尖与晶振等样品接触,分辨率几乎和接触式扫描一样的好,但由于接触是短暂的,因此对样品的破坏几乎完全消失,克服了常规扫描模式的局限性。轻敲模式还具有大而且线性的操作范围,使得垂直反馈系统具有高度稳定性,可重复进行样品测量。对于软、粘和脆性样品的研究具有独到的优势但轻敲模式同样也增加了操作和设备的复杂性,在实际运用中存在着不易控制的缺点。

SFM技术的发展强烈依赖于带有特殊针尖的微悬臂制备技术的发展。这种微悬臂和针尖必须是能够简便而快速制备的。在原子力显微镜发展之初,悬臂几何形状一般为L形。其主要是通过将一个很细的金属丝或线圈弯曲90°,顶端经电化学腐蚀成一个针尖而制备得到的。这种制备方法完全依赖于实验技师的手工技能。第二种悬臂制备方法是微刻技术。第一代是简单的SiO2悬臂,形状为直角和三角,是从氧化硅片上刻蚀得到的。其同腐蚀金属针尖相比,不能很好的控制其尖锐程度。后来改用SiN4代替SiO2作为悬臂材料。Si3N4脆性较低,而且厚度可以从1.5降到0.3um。这一代悬臂具有完整针尖,而且曲率半径非常低。

美国斯坦福大学是在硅片上刻蚀出金字塔形的小片,可以得到曲率半径小于30nm的针尖。IBM公司则采用硅片(100)来制备具有完整针尖的硅悬臂,曲率半径低于100nm。这些通过微电子加工将针尖集成于一体的微悬臂方法有很好的可重复性,不需粘另外的针尖,便于大批量生产。所以一般商用的AFM都采用这种力传感器。但对于静电力显微镜和磁力显微镜来说,由于针尖材料具有特殊的要求,还是要采用在微悬臂上粘针尖的方法。

从以上可以看出,这些基于微悬臂的SFM它们都有一个共同的缺点;它们不仅需要一个结构复杂的微小悬臂作为力的传感器,而且还要一个激光干涉仪用于检测微悬臂的微小位移来获得表面变化信息。因而结构较为复杂,成本也很高,操作难度增大,也就造成其在应用中的局限性。所以必须采用其他的传感器和非光学的检测方法。