美国CTS晶振,Sitime晶振,Jauch晶振,IDT晶振,ECS晶振等知名品牌在国内使用最多,生产高端智能产品工厂企业大都优先选择欧美石英晶体振荡器.比如IDT晶振具有高精密,低损耗,低电源电压等优势特点.
IDT晶振成立于1980年,总部位于美国加州圣何塞市.IDT晶振拥有独一无二的生产技术,先进的仪器设备, 多次开发了能够与处理器,存储器等数字系统,其他半导体以及物理世界连接的晶振技术解决方案.IDT集团致力于研发生产石英晶体振荡器,差分晶振,压控温补晶振,TCXO晶振等晶体元件.
|
IDT晶振原厂代码
|
品牌
|
CEOB2B晶振平台提供
|
参数
|
输出
|
电压
|
包装/封装
|
IDT晶振尺寸
|
|
4MA050000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
50.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA200000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
200.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF050000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
50.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF100000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
100.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF106250Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
106.25MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF125000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
125.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF156250Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
156.25MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF212500Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
212.50MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA100000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
100.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA125000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
125.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA133333Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
133.333MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA150000Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
150.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA156250Z4BACUGI
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
156.25MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
IDT差分晶振是目前行业中技术要求比较高的一种,具有低电平,低电流电压可达到低值1V,低功耗等功能.以及储存温度非常宽,客户实验证明工作温度可以到达低温-50度高温到100度,IDT差分晶振频率稳定度在±20PPM值,输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0秒,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.
CEOB2B晶振平台提供IDT差分晶振LVDS输出2.5V系列4MA156250Z4BACUGI8晶振编码对照列表,所举例差分晶体振荡器电压都在2.5V, 5x7mm的体积,焊接脚位6个,输出方式为LVDS模式.IDT差分有源晶振具有高频,高温,低抖动,低功耗等优势特点.
|
IDT晶振原厂代码
|
品牌
|
CEOB2B晶振平台提供
|
参数
|
输出
|
电压
|
包装/封装
|
IDT晶振尺寸
|
|
4MA200000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
200.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF050000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
50.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF100000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
100.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF106250Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
106.25MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF125000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
125.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF156250Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
156.25MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4HF212500Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
212.50MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA050000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
50.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA100000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
100.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA125000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
125.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA133333Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
133.333MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA150000Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
150.000MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
|
4MA156250Z4BACUGI8
|
IDT
|
CEOB2B晶振平台
|
156.25MHZ
|
LVDS
|
2.5V
|
6-SMD
|
7.00mm x 5.00mm
|
CEOB2B
CEOB2B
