IDT是美国有名的石英晶振,石英晶体频率元件制造商,位于加州圣何塞市,在1980年成立.IDT晶振集团开发了能够与处理器,存储器等数字系统,其他半导体以及物理世界连接的晶振技术解决方案.
IDT生产有源晶振主要分为SPXO晶振,TCXO晶振,VCXO晶振,VC-TCXO晶振,差分晶振等多种性能供应用户选择.IDT差分晶振具有LVDS, HCMOS,LVPECL等多种输出方式,为用户提供 了更多选择.
原厂代码 |
品牌 |
代理商 |
参数 |
输出 |
电压 |
尺寸 |
XUL535156.250JS6I8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
156.25MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
XUL535156.250JS6I |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
156.25MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA156250Z4AACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 156.25MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA156250Z4AACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 156.25MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA156250Z4BACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 156.25MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA156250Z4BACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 156.25MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA161133Z4AACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 161.133MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA161133Z4AACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 161.133MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA161133Z4BACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 161.133MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA161133Z4BACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 161.133MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4HF156250Z4BACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 156.25MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4HF156250Z4BACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 156.25MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4HF156250Z4AACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 156.25MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
差分晶振具有比普通有源晶振更高 品质,更 精密,更稳定性能的特点, 差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点. 差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.
原厂代码 |
品牌 |
CEOB2B晶振平台供应 |
参数 |
输出 |
电压 |
尺寸 |
XUL536212.500JS6I |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
212.5000MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
XUL535212.500JS6I8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
212.5MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
XUL535212.500JS6I |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
212.5MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
XLL526155.520000I |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
155.520MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA212500Z4AACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA212500Z4AACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA212500Z4BACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA212500Z4BACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4HF212500Z4AACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4HF212500Z4AACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4HF212500Z4BACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4HF212500Z4BACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 212.50MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA233333Z4AACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 233.333MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA233333Z4AACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 233.333MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA233333Z4BACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 233.333MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA233333Z4BACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 233.333MHZ |
LVDS |
2.5V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA074175Z4AACTGI |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 74.175MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |
4MA074175Z4AACTGI8 |
IDT |
CEOB2B晶振平台 |
MEMS 74.175MHZ |
LVDS |
3.3V |
5.00mm x 3.20mm |