CEOB2B晶振平台

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 25~322.265MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 220~625MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~220MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 25~212.5MHz   尺寸3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 119.342~137MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~80MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~200MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率: 125~150MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:3.0*3.5mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 1~110MHz   尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 7.3728~48MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。

频率: 3.75~77.76MHz  尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率: 1Hz~1.85MHz  尺寸:1.5*0.8mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率:80~220MHz  尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

频率:1~80MHz  尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.