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: SITIME晶振,SiT3807晶振,有源晶振

频率:1.544~49.152MHz 尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

: SITIME晶振,SiT3373晶振,压控晶振

频率:220~700MHz 尺寸:3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

: SITIME晶振,SiT3372晶振,进口有源晶振

频率:10~220MHz 尺寸:3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.

: Abracon晶振,ABLNO晶振,ABLNO-V-120.000MHZ-T2晶振,有源晶振

频率:50~156.25MHz 尺寸:14.3*8.7mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）

: Statek晶振,VCXO晶振,压控晶体振荡器

频率：16.384~130 MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

: Raltron晶振,VSY晶振,压控晶体振荡器

频率:16~130MHz 尺寸:5.0*7.0mm

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: Raltron晶振,VS9P晶振,有源晶振

频率:0.75~800MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: Raltron晶振,VS9M晶振,有源贴片晶振

频率:0.75~800MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术，按照最严格的切割机各项设备参数，严格挑选各类晶体切割，如：磨料、线切割线、槽轮等，通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了晶片的精度，提高了生产效率。

: Raltron晶振,VS9L晶振,VCXO晶振

频率:38~640MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术，按照最严格的切割机各项设备参数，严格挑选各类晶体切割，如：磨料、线切割线、槽轮等，通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了晶片的精度，提高了生产效率。

: Raltron晶振,VS9晶振,VCXO晶振

频率:1~180MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术，按照最严格的切割机各项设备参数，严格挑选各类晶体切割，如：磨料、线切割线、槽轮等，通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了晶片的精度，提高了生产效率。

: Raltron晶振,VS4晶振,石英晶体振荡器

频率:1~125MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术，按照最严格的切割机各项设备参数，严格挑选各类晶体切割，如：磨料、线切割线、槽轮等，通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了晶片的精度，提高了生产效率。

: Raltron晶振,VS2晶振,5070压控晶振

频率:1~51.840MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术，按照最严格的切割机各项设备参数，严格挑选各类晶体切割，如：磨料、线切割线、槽轮等，通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了晶片的精度，提高了生产效率。

: Raltron晶振,VPL7晶振,有源贴片晶振

频率:100~700MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振系列SMD晶片目前采用了激光切割技术，按照最严格的切割机各项设备参数，严格挑选各类晶体切割，如：磨料、线切割线、槽轮等，通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了晶片的精度，提高了生产效率。

: Raltron晶振,VPF7晶振,5070有源晶振

频率:60~200MHz 尺寸:5.0*7.0mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

: Raltron晶振,VPF5晶振,有源晶振

频率:60~200MHz 尺寸:5.0*3.2mm

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: Raltron晶振,VPF3晶振,VCXO晶振

频率:10~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm

小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

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: 石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

将二氧化硅（SiO2）结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片, 再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层, 并作为两个极引出管脚, 加以封装, 就构成石英晶体谐振器。石英晶体谐振器, 简称石英晶体, 具有非常稳定的固有频率。下面CEOB2B晶振平台要给大家介绍的是晶振的压电效应以及等效电路,石英晶体振荡电路等.

1.压电效应和压电振荡
在石英晶体两个管脚加交变电场时, 它将会产有利于一定频率的机械变形, 而这种机械振动又会产生交变电场, 上述物理现象称为压电效应。一般情况下, 无论是机械振动的振幅, 还是交变电场的振幅都非常小。但是, 当交变电场的频率为某一特定值时, 振幅骤然增大, 产生共振, 称之为压电振荡。这一特定频率就是石英晶体的固有频率, 也称谐振频率。
2.石英晶体的等效电路和振荡频率
石英晶体的等效电路，当石英晶振晶体不振动时, 可等效为一个平板电容C0, 称为静态电容；其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积, 一般约为几到几十皮法。当晶片产生振动时, 机械振动的惯性等效为电感L, 其值为几毫亨。贴片晶振,石英晶体晶片的弹性等效为电容C, 其值仅为0.01到0.1pF, 因此, CL数值很大, 所以Q值高达104~106。频率稳定度Δf/f0可达10-6~10-8, 采用稳频措施后可达10-10~10-11。而LC振荡器的Q值只能达到几百, 频率稳定度只能达到10-5。
二、石英晶体正弦波振荡电路
1.并联型石英晶体正弦波振荡电路
如果用石英晶体取代LC振荡电路中的电感, 就得到并联型石英晶体振荡器,石英晶体正弦波振荡电路,电路的振荡频率等于石英晶体的并联谐振频率。
2.串联型石英晶体振荡电路
串联型石英晶体振荡电路，电容Cb为旁路电容, 对交流信号可视为短路.电路的第一级为共基放大电路, 第二级为共集放大电路。若断开反馈, 给放大电路加输入电压是, 极性上“+”下“-”；则T1管集电极动态电位为“+”, T2管的发射极动态电位也为“+”。只有在石英贴片晶振,水晶振荡子,石英晶体呈纯阻性, 即产生串联谐振时, 反馈电压才与输入电压同相, 电路才满足正弦波振荡的相位平衡条件。所以电路的振荡频率为石英晶体的串联谐振频率fS。调整Rf的阻值, 可使电路满足正弦波振荡的幅值平衡条件。【更多详情】

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