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NDK晶振,石英晶体振荡器,NV5032SC晶振

NDK晶振,石英晶体振荡器,NV5032SC晶振

频率:100~200MHz 尺寸:5.0*3.2mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
NDK晶振,OSC晶振,NV5032SB晶振

NDK晶振,OSC晶振,NV5032SB晶振

频率:1.25~62MHz 尺寸:5.0*3.2mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
NDK晶振,OSC晶振,NV5032SA晶振

NDK晶振,OSC晶振,NV5032SA晶振

频率:62~170MHz 尺寸:5.0*3.2mm 小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
NDK晶振,OSC晶振,NV5032S晶振

NDK晶振,OSC晶振,NV5032S晶振

频率:15~2100MHz 尺寸:5.0*3.2mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
NDK晶振,石英晶体振荡器,NV3225SA晶振

NDK晶振,石英晶体振荡器,NV3225SA晶振

频率:1.25~80MHz 尺寸:3.2*2.5mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
NDK晶振,压控晶振,NV2520SA晶振

NDK晶振,压控晶振,NV2520SA晶振

频率:1.25~80MHz 尺寸:2.5*2.0mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
NDK晶振,有源晶振,NV13M09WS晶振

NDK晶振,有源晶振,NV13M09WS晶振

频率:100~125MHz 尺寸:13.8*9.2mm 压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.
NDK晶振,有源晶振,NV13M09WN晶振

NDK晶振,有源晶振,NV13M09WN晶振

频率:75~800MHz 尺寸:13.8*9.2mm 压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.
NDK晶振,有源晶振,NV13M09WK晶振

NDK晶振,有源晶振,NV13M09WK晶振

频率:10~125MHz 尺寸:13.8*9.2mm 压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.
NDK晶振,有源晶振,NV13M08YN晶振

NDK晶振,有源晶振,NV13M08YN晶振

频率:1600~2200MHz 尺寸:13.8*8.9mm 压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.
NDK晶振,压控晶振,NV13M08YM晶振

NDK晶振,压控晶振,NV13M08YM晶振

频率:10~125MHz 尺寸:13.8*8.9mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
NDK晶振,VCXO晶振,NV13M08YK晶振

NDK晶振,VCXO晶振,NV13M08YK晶振

频率:75~800MHz 尺寸:13.8*8.9mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
NDK晶振,VCXO晶振,NV11M09YA晶振

NDK晶振,VCXO晶振,NV11M09YA晶振

频率:622.08~669.3266MHz 尺寸:11.4*9.6mm 具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
CTS晶振,VCXO晶振,VF230V晶振

CTS晶振,VCXO晶振,VF230V晶振

频率:0.75~800MHz 尺寸:5.0*7.0mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
CTS晶振,石英晶体振荡器,T2306晶振

CTS晶振,石英晶体振荡器,T2306晶振

频率:3~32.768MHz 尺寸:5.0*7.0mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
CTS晶振,VCXO晶振,T2002晶振

CTS晶振,VCXO晶振,T2002晶振

频率:3~45MHz 尺寸:5.0*7.0mm 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

将二氧化硅(SiO2)结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片, 再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层, 并作为两个极引出管脚, 加以封装, 就构成石英晶体谐振器。石英晶体谐振器, 简称石英晶体, 具有非常稳定的固有频率。下面CEOB2B晶振平台要给大家介绍的是晶振的压电效应以及等效电路,石英晶体振荡电路等.

1.压电效应和压电振荡

在石英晶体两个管脚加交变电场时, 它将会产有利于一定频率的机械变形, 而这种机械振动又会产生交变电场, 上述物理现象称为压电效应。 一般情况下, 无论是机械振动的振幅, 还是交变电场的振幅都非常小。但是, 当交变电场的频率为某一特定值时, 振幅骤然增大, 产生共振, 称之为压电振荡。这一特定频率就是石英晶体的固有频率, 也称谐振频率。
 2.石英晶体的等效电路和振荡频率
石英晶体的等效电路,当石英晶振晶体不振动时, 可等效为一个平板电容C0, 称为静态电容;其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积, 一般约为几到几十皮法。当晶片产生振动时, 机械振动的惯性等效为电感L, 其值为几毫亨。贴片晶振,石英晶体晶片的弹性等效为电容C, 其值仅为0.01到0.1pF, 因此, CL数值很大, 所以Q值高达104~106。 频率稳定度Δf/f0可达10-6~10-8, 采用稳频措施后可达10-10~10-11。而LC振荡器的Q值只能达到几百, 频率稳定度只能达到10-5。
二、石英晶体正弦波振荡电路
 1.并联型石英晶体正弦波振荡电路
如果用石英晶体取代LC振荡电路中的电感, 就得到并联型石英晶体振荡器,石英晶体正弦波振荡电路,电路的振荡频率等于石英晶体的并联谐振频率。
 2.串联型石英晶体振荡电路
串联型石英晶体振荡电路,电容Cb为旁路电容, 对交流信号可视为短路.电路的第一级为共基放大电路, 第二级为共集放大电路。 若断开反馈, 给放大电路加输入电压是, 极性上“+”下“-”;则T1管集电极动态电位为“+”, T2管的发射极动态电位也为“+”。 只有在石英贴片晶振,水晶振荡子,石英晶体呈纯阻性, 即产生串联谐振时, 反馈电压才与输入电压同相, 电路才满足正弦波振荡的相位平衡条件。 所以电路的振荡频率为石英晶体的串联谐振频率fS。调整Rf的阻值, 可使电路满足正弦波振荡的幅值平衡条件。
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