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: SITIME晶振,SiT9365晶振,MEMS振荡器

频率: 25~322.265MHz 尺寸3.2*2.5mm,5.0*7.0mm

SiTime MEMS硅晶振，是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS微机电系统与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。
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: SITIME晶振,SiT8008B晶振,有源晶振

频率: 1~110MHz 尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

与普通石英晶振,石英晶体,石英振荡器相比,SiTime的MEMS振荡器提供了更高的性能.通过将硅的固有优势与SiTime晶振的专业技术结合起来,我们正在开发具有更多特性、高性能和无与伦比的优点的最具创新性的计时产品石英贴片晶振,石英晶体振荡器.
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: Abracon晶振,ASTMLPT晶振,ASTMLPT-33-100.000MHZ-LQ-S-T3晶振,MEMS有源晶振

频率:1~110MHz 尺寸:3.5*3.0mm

小型SMD有源晶振,更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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: Abracon晶振,ASFLMP晶振,ASFLMPLV-100.000MHZ-LR-T晶振,MEMS振荡器

频率:2.3~460MHz 尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）
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[压电石英晶体技术资料]石英晶体振荡器与全硅MEMS振荡器的材料特性与特征比较（二）2018年06月27日 09:16: 如果使用具有线性特性的谐振单元组建振荡器，就必须对石英晶振晶体本身所具备的温度特性进行补偿。而且，石英晶体振荡单元在生产过程中对每只产品进行频率调节，使得初始频度公差保持在ppm程度的差异之间；硅谐振单元为提高生产效率在生产过程中对晶圆进行一次性处理，这省略了个别调节的时间，却造成了初始频度公差的差异幅度大的情况。; 阅读（73）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶体振荡器与全硅MEMS振荡器的材料特性与特征比较（一）2018年06月27日 09:11: 各种电子设备需要基准信号。为获得基准信号可以使用石英晶体振荡器，也可以通过其它元器件，例如LC振荡器、CR振荡器、陶瓷振荡器或全硅MEMS振荡器等。LC振荡器利用电感（L）和电容（C）组合后产生的谐振现象起振频率；CR振荡器使用电容（C）和电阻（R）所构成的充放电电路起振基准频率；陶瓷振荡器则使用以锆钛酸铅（PZT）为主要材料的压电陶瓷；而全硅MEMS振荡器则是应用了MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统）加工技术的硅基振荡器。从以上列举的多种类型的振荡器中选择时应基于用途进行。; 阅读（47）标签：

[压电石英晶体技术资料]用于电子设备及通信系统设备的石英晶体振荡器与全硅MEMS振荡器的特性比较（二）2018年06月26日 09:42: 《图4》表示3.3V电源电压、+25℃条件下的石英晶体振荡器与全硅MEMS振荡器的相位噪音特性实测结果。如《图4》所示，全硅MEMS振荡器的相位噪音曲线的一部分变大，这起因于全硅MEMS振荡器的基本结构（《图1》）。由于全硅MEMS振荡器所采用的锁相环电路的工作原理是锁定压控振荡器（以下称为“VCXO”）发出的波源后输出倍频，因此这种振荡器的相位噪音特性受其振荡电路及锁相环电路的两种因素的影响。通常情况下，全硅MEMS振荡电路的载波周围低频的相位噪音特性不及石英晶体振荡电路；高频侧则显示出VCXO的相位噪音特性而呈现下降趋势。; 阅读（42）标签：

[压电石英晶体技术资料]用于电子设备及通信系统设备的石英晶体振荡器与全硅MEMS振荡器的特性比较（一）2018年06月26日 09:02: 石英晶体振荡器是以石英晶体单元的基波振荡为波源而构成的振荡器；全硅MEMS振荡器则以硅谐振单元为波源，并由温度补偿电路及获取任意频率的锁相环电路构成。本次进行特性比较的振荡器基本结构如《图1》所示。从基本结构可以看出，石英晶体振荡器的结构简洁，而全硅MEMS振荡器的结构复杂，包括谐振单元部分、锁相环部分及温度补偿部分。受复杂结构的影响，导致振荡器在噪音增幅、消耗电流的增加等性能方面出现各种差异。下页《表1》表示振荡器源自结构差异的不同特征。在此，我们通过石英晶体振荡器与全硅 MEMS振荡器的性能比较，介绍作为基准信号源所需特性。; 阅读（53）标签：

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