频率:1.5~50MHz 尺寸:2.0*1.6mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
Raltron晶振,CO2016晶振,2016mm贴片晶振,Raltron晶振公司成立于1983年,其位于迈阿密的工厂生产一些较为高端精密的石英晶体振荡器,有源晶振,温补振荡器.相对于一些石英晶体谐振器,石英晶体,贴片晶振,时钟振荡器以及过滤器,陶瓷谐振器,滤波器等则是在国内几个工厂生产.通过将这些产品从香港的物流中心运往世界各地,Raltron晶振公司全体员工均以追求完美的服务以及卓越的品质为工作理念.
项目 |
符号 |
CO2016晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
1.5~50MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.8V,2.5V,3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作温度
|
T_use
|
G: -10℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.jingzhen95.com/
|
|
|||
频率稳定度
|
f_tol
|
J: ±25 × 10-6
±30 × 10-6
|
|
L: ±50× 10-6 |
|||
T: ±100 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
4.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±5× 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
石英晶振各项注意事项:
晶体谐振器
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上。
晶体振荡器
石英晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些有源晶振没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
晶体滤波器
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近。
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路。
如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在声表面滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。
光学产品
由于制造过程中进行了灰尘等异物管理,因此包装开封以后,请在进行清洁度管理的环境中使用。 Raltron晶振,CO2016晶振,2016mm贴片晶振Raltron晶振集团环保方针:
服务热线:0755-27839045
Q Q联系:262320519
邮箱:szceob2b@163.com