频率:10~40MHz 尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm
MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.
SITIME晶振,SiT5000晶振,温补晶体振荡器,SiTime晶振公司拥有一个世界级的模拟工程团队,它为业界提供了最高的性能和最灵活的振荡.自从2006年我们的第一次产品介绍以来,我们已经改进了频率稳定性能250次(根据价值的数字来衡量),改进了抖动性能800次,改善了阿伦的偏差3万次,提高了功率消耗100次,同时保持了我们的产品的灵活性和可靠性
MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.
项目 |
符号 |
SiT5000晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
10 MHz to 40 MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.8V,2.5 V 2.8V,3.0V,3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -20℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.jingzhen95.com/ |
H: -40℃ to +85℃ |
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频率稳定度
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f_tol
|
J: ±5× 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
SITIME晶振环保基本理念:
服务热线:0755-27839045
Q Q联系:262320519
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Si598 XO/Si599 VCXO晶振采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路,以提供任何频率的低抖动时钟。它们可由用户编程为10至810 MHz的任何输出频率,每万亿(PPT)分辨率。该设备通过2引脚I2C兼容进行编程串行接口。思佳讯智能家电晶振,599BFA000313DG,Si599压控振荡器.