32.768K有源晶振,NAOH晶振,5032mm晶振

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NSK晶振,32.768K有源晶振,NAOH晶振

频率:32.768KHz 尺寸:5.0*3.2mm 贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：86-0755-27839045

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NSK晶振,32.768K有源晶振,NAOH晶振,台湾津绽NSK晶体科技股份有限公司拥有超过 10 年以上的生产经验，秉持着持续开发与专业技术支持，提供晶振使用最佳的解决方案及最好的服务质量。津绽晶振公司是世界领先的频率控制组件制造商：石英晶体、石英晶体振荡器、压控晶体振荡器的主要和关键的电子产品的一部分.津绽为客户提供高质量的晶体组件在电子产品的广泛使用,例如,无线、电信、网络、计算机及外围设备、GSM等通信设备.津绽一直支持台湾与国际客户提供质量晶体超过10年. NSK晶振已获得ISO 9001 / ISO 14001的质量和环保认证，产品并通过及符合RoHS规范的要求，且确实配合客户实现无毒产品的要求，以创造及维护美好环境为己任。

项目	符号	NAOH规格说明	条件
输出频率范围	f₀	32.768KHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.80 V to 3.3 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -20℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.jingzhen95.com/


频率稳定度	f_tol	J: ±30 × 10^-6
		L: ±50 × 10^-6
		T: ±100 × 10^-6
功耗	I_CC	3 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	200 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	10 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

NAOH 53 5032 32.768k OSC

所有产品的共同点
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。NSK晶振,32.768K有源晶振,NAOH晶振

台湾津绽NSK晶振科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述.本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、SMD晶振产品及服务.