加高晶振,32.768K有源晶振,HSO321S晶振
频率:32.768KHz 尺寸:3.2*2.5mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
订购热线：86-0755-27839045
加高晶振,32.768K有源晶振,HSO321S晶振,加高电子(H.ELE.)成立于1976年,藉由与日本DAISHINKU（KDS）株式会社的合作,引进日本精密制程、有源晶体产品设计技术及讲究的质量管理工法,进而累积扎实的研发能力.加高晶振产品技术方面,除了不断提升,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,的精密度及稳定性之外,我们更专注开发高温度耐受性的产品、特殊应用领域之规格,并朝小型化开发设计,以满足终端产品的发展趋势.使我们能够与国际客户群进行有效的沟通,取得客户的支持及认可,国内外客户皆可透过各地的销售办事处和经销商,取得完整即时的需求回应及服务.
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项目
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符号
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HSO321S晶振规格说明
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条件
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输出频率范围
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f0
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32.768KHz
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请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
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电源电压
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VCC
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1.8 V to 3.3 V
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请联系我们以了解更多相关信息
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储存温度
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T_stg
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-55℃ to +125℃
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裸存
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工作温度
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T_use
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G: -40℃ to +85℃
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请联系我们查看更多资料http://www.jingzhen95.com/
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H: -40℃ to +105℃
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J: -40℃ to +125℃
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频率稳定度
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f_tol
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J: ±25 × 10-6
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L: ±50 × 10-6
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T: ±100 × 10-6
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功耗
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ICC
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3.5 mA Max.
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无负载条件、最大工作频率
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待机电流
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I_std
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3.3μA Max.
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ST=GND
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占空比
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SYM
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45 % to 55 %
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50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
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输出电压
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VOH
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VCC-0.4V Min.
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VOL
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0.4 V Max.
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输出负载条件
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L_CMOS
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15 pF Max.
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输入电压
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VIH
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90% VCC Max.
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ST 终端
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VIL
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10 % VCC Max.
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上升/下降时间
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tr / tf
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4 ns Max.
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20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
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振荡启动时间
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t_str
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3 ms Max.
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t=0 at 90 %
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频率老化
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f_aging
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±3 × 10-6 / year Max.
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+25 ℃, 初年度,第一年
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使用每种产品时，请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用。晶体产品的设计和生产满足它的规格书。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的产品.但是为了产品的品质和可靠性，必须在适当的条件下存储，安 装，运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品，我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任.
超声波清洗
（1）使用AT-切割晶体和表面声波（SAW）谐振器/滤波器的产品，可以通过超声波进行清洗。但是，在某些条件下， 晶体特性可能会受到影响，而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。
（2）使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗，因为晶体可能受到破坏。
（3）请勿清洗开启式产品
（4）对于可清洗产品，应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。
（5）焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响石英晶体的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加。加高晶振,32.768K有源晶振,HSO321S晶振
HELE加高晶振绿色产品规范参考标准
HELE加高晶振公司将有效率的使用32.768K有源晶振和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.
我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意.
加高晶振集团所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.
对我们的3225晶振进行检验,同时告知我们的员工顾客以及公众,如何安全的使用,如何使用对环境影响较小,帮助我们的雇员合同方商业伙伴服务提供上理解他们的行为如何影响着环境.加高晶振,32.768K有源晶振,HSO321S晶振
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