KDS晶振,DSA321SDM晶振,VC-TCXO晶振,日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶体,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国、英国、德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以“依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.
贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
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型号
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DSA321SDM晶振（VC-TCXO）
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输出频率范围
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9.6~52MHz
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标准频率
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19.2/ 26/ 38.4/ 40/ 52MHz
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电源电压范围
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+1.7~+3.5V
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电源电压（Vcc）
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＋1.8V/ ＋2.6V/ ＋2.8V/ ＋3.0V/ ＋3.3V
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消耗电流
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+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
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待机时电流
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-
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输出电压
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0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
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输出负载
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10kΩ//10pF
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频率稳定度
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常温偏差
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±1.5×10-6 max.（After 2 reflows）
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温度特性
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±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃（Option）
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电源电压特性
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±0.2×10-6 max.（VCC ±5%）
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负载变化特性
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±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
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长期变化
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±1.0×10-6 max./year
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频率控制
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控制灵敏度
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±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V
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频率控制极性
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正极性
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在使用KDS晶振时应该注意一下事项：
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。KDS晶振,DSA321SDM晶振,VC-TCXO晶振
日本大真空株式会社KDS晶振将：
1.通过适当控制环境影响的物质，减少能源的使用，以达到节约能源和节约资源的目的。有效利用资源，防止环境污染，减少和妥善处理废物，包括再利用和再循环。
2.在我们的环境政策中教育所有员工和为我们的团队工作的人，通过教育和提高意识来提高他们的环保意识。确保公众环境保护活动的信息公开。
3.KDS晶振集团认识到进行环境管理和资源保持的责任和必要性,同时也认识到针对全球环境问题,为保持国际环境而进行各行业建设性的合作是极其重要的。
4.致力于环境保护，包括预防污染。在有源晶体产品的规划到制造、运行维修等整个过程中，努力提供环保型的产品和服务。在业务活动中，努力节约资源并节省能源，致力于减少废弃物和再生资源的回收利用。
5.在积极公开有关环境的信息的同时，通过支持环保活动，广泛地为社会作贡献。致力于保护生物多样性和可持续利用。切实运行环境管理系统PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act），努力提高环境性能，不断改善运用系统。
6.KDS晶振，3225贴片晶振,石英晶体振荡器在“制造、使用、有效利用、再利用”这样一个产品生命周期中，努力创造丰富的价值，给社会带来温馨和安宁，感动和惊喜，同时为减少环境影响，努力做好“防止地球变暖、有效利用资源、对化学物质进行管理”，实现与地球的和谐相处。KDS晶振,DSA321SDM晶振,VC-TCXO晶振
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