插件陶瓷晶振,压电陶瓷晶振,455C28晶振

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陶瓷晶振,陶瓷插件晶振,455C28晶振

频率：2KHZ-50MHZ 尺寸：5*7mm 因为目前IC芯片发展的迅速，部分插件的陶瓷谐振器要么被集成，要么陶瓷谐振器精度不够，被石英晶振取代，所以现在现在陶瓷晶振正处于下滑阶段，产量以及用量在逐步缩小，陶瓷谐振器具有对激励信号频率十分敏感的突出特点，当外加的交流电场的频率和谐振器的谐振频率发生共振时，电能和机械能的转换会发生在谐振器的谐振频率上。

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陶瓷晶振,陶瓷插件晶振,455C28晶振,中频压电陶瓷晶振千赫系列产品,经过长期开发研究,现在大部分频点均已量产,并且长期备有现货,频点多元化,多种款型,型号,体积,封装,引进插件晶振以及贴片晶振模式供客户选用.所有生产的陶瓷晶振均经过严格宽温度范围内和长期老化试验,确保客户在使用过程中保持稳定,

陶瓷谐振器型号	频率精度 (at 25°C)	谐振阻抗 (Ω)	温度稳定性 (-20°C~+80°C)(%)	老化率(10年)(%)	负载电容(pF)
陶瓷谐振器型号	频率精度 (at 25°C)	谐振阻抗 (Ω)	温度稳定性 (-20°C~+80°C)(%)	老化率(10年)(%)	C1	C2
ZTB82 ~ ZTB189 *	±2kHz	≤20	±0.3	±0.3	/	/
ZTB190D ~ ZTB249D	±1kHz	≤20	±0.3	±0.3	330	470
ZTB250D ~ ZTB374D	±1kHz	≤20	±0.3	±0.3	220	470
ZTB375P ~ ZTB429P	±2kHz	≤20	±0.3	±0.3	120	470
ZTB430E ~ ZTB509E	±2kHz	≤20	±0.3	±0.3	100	100
ZTB510P ~ ZTB699P	±2kHz	≤30	±0.3	±0.3	100	100
ZTB700J ~ ZTB999J	±0.5%	≤70	±0.3	±0.3	100	100
ZTB1000J ~ ZTB1250J	±0.5%	≤100	±0.3	±0.3	100	100

TC-4

耐焊接热，试验条件将引线浸入260℃±5℃的焊锡槽中，浸入深度至引线根部2mm处，时间10S±1S，在室温条件下恢复24±2小时后进行测量。

要求电性能满足2.1∽2.4的规定，外观无可见损伤。

可焊性试验条件将引线浸入230℃±5℃的焊锡槽中，浸入深度至引线根部2mm处，时间5S±1S。要求焊锡良好覆盖的面积应不少于浸锡面积的95%。

高温试验，试验条件温度85℃±2℃，时间96小时，在室温条件下恢复24±2小时后进行测量。要求电性能满足2.1∽2.4的规定。

低温试验，试验条件温度-25℃±2℃，时间96小时，在室温条件下恢复24±2小时后进行测量。

陶瓷晶振要求电性能满足2.1∽2.4的规定。

恒定湿热，试验条件温度40℃±2℃，相对温度90%∽95%，时间96小时，在室温条件下恢复24小时后进行测量。

陶瓷晶振要求电性能满足2.1∽2.4的规定。

温度变化试验，试验条件试验温度-20℃.+80℃，转换时间2-3min，循环次数5次，在室温条件下恢复24小时后进行测量。要求电性能满足2.1∽2.4的规定。陶瓷晶振,陶瓷插件晶振,455C28晶振

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