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有源晶振 :: 石英晶体振荡器; 温补晶振; 压控晶振; VC-TCXO晶振; 差分晶振; 32.768K有源; 恒温晶振

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有源晶振-TCXO晶振系列

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: KDS晶振,DSV323SJ晶振,有源晶振

频率:80~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSV323SD晶振,OSC晶振

频率:80~170MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSV321SV晶振,3225贴片晶振

频率:6.75~90MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSV321SR晶振,压控晶振

频率:13.5~54MHz 尺寸:3.2*2.5mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSV221SV晶振,贴片压控振荡器

频率:6.75~90MHz 尺寸:2.5*2.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSV221SR晶振,2520有源晶振

频率:7.5~60MHz 尺寸:2.5*2.0mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSV211AV晶振,贴片晶体振荡器

频率:12MHz,19.2~80MHz 尺寸:2.0*1.6mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSV211AR晶振,压控晶体振荡器

频率:19.2~60MHz 尺寸:2.0*1.6mm
小体积有源石英晶体振荡器，在生产时需要在完全净化车间，在密封的机器设备中测良，封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

: KDS晶振,DSA1612SDN晶振,VC-TCXO晶振

频率:16~60MHz 尺寸:1.6*1.2mm
压控温补晶体系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

: KDS晶振,DSA1612SDM晶振,超小型VC-TCXO晶振

频率:19.2~52MHz 尺寸:1.6*1.2mm
1612体积的温补晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积较小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.

: KDS晶振,DSA535SG晶振,石英晶体振荡器

频率:10~40MHz 尺寸:5.0*3.2mm
压控温补晶体系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

: KDS晶振,DSA535SD晶振,压控温补晶振

频率:9.6~40MHz 尺寸:5.0*3.2mm
温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品

: KDS晶振,DSA535SC晶振,5032有源晶振

频率:10~30MHz 尺寸:5.0*3.2mm
温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品

: KDS晶振,DSA321SF晶振,3225贴片有源晶振

频率:9.6~40MHz 尺寸:3.2*2.5mm
温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品.

: KDS晶振,DSA321SDM晶振,VC-TCXO晶振

频率:9.6~52MHz 尺寸:3.2*2.5mm
压控温补晶体系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

: KDS晶振,DSA321SDA晶振,贴片有源晶振

频率:9.6~52MHz 尺寸:3.2*2.5mm
压控温补晶体系列，VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了，高精密点胶技术：具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊）无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求。

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