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3225mm振荡器,406系列SMD晶振,MTI-milliren低功耗晶振

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3225mm振荡器,406系列SMD晶振,MTI-milliren低功耗晶振,MTI-milliren晶振,米利伦晶振,加拿大进口晶振,型号:406系列晶振,频率范围:10MHz至52MHz,小体积晶振尺寸:3.2x2.5x1.0mm,超微型SMD晶振,四脚贴片晶振,TCXO温补晶振3225晶振,石英晶振,有源晶振,温补晶体振荡器具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低耗能,低损耗,低电平等特点。适用于:移动通讯晶振,无线蓝牙晶振,汽车电子晶振,导航晶振,物联网晶振等应用。
超微型SMD晶振,405系列5032mm晶振,MTI-milliren温补晶体振荡器

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超微型SMD晶振,405系列5032mm晶振,MTI-milliren温补晶体振荡器,加拿大进口晶振,MTI-milliren米利伦晶振,型号:405系列晶振,频率范围:10MHz至40MHz,小体积晶振尺寸:5.0x3.2x1.2mm,超微型SMD晶振,四脚贴片晶振,TCXO温补晶体振荡器,温补晶振有源晶振,石英晶振石英晶体振荡器具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低电源电压,低相位噪声,低耗能,低损耗,低电平等特点。适用于:通讯设备晶振,GPS定位晶振,无线网络晶振,物联网晶振,导航晶振等应用。
7050mm晶振,404系列TCXO振荡器,MTI-milliren米利伦晶振

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7050mm晶振,404系列TCXO振荡器,MTI-milliren米利伦晶振,加拿大进口晶振,MTI-milliren米利伦晶振,型号:404系列晶振,频率范围:10MHz至27MHz,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm,超微型SMD晶振,四脚贴片晶振,TCXO振荡器,温补晶振有源晶振,石英晶振石英晶体振荡器,具有超小型,轻薄型,低相位噪声、低抖动,低功耗,低电源电压,低耗能,低损耗,低电平等特点。适用于:通讯设备晶振,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,物联网晶振,GPS定位晶振,导航等应用。
C5KC30-32.768-15-3.0V,32.768KHz,5032mm,C5K,ITTI石英晶体振荡器

C5KC30-32.768-15-3.0V,32.768KHz,5032mm,C5K,ITTI石英晶体振荡器

C5KC30-32.768-15-3.0V,32.768KHz,5032mm,C5K,ITTI石英晶体振荡器,香港晶振,ITTI晶振,型号:C5K系列晶振,编码为:C5KC30-32.768-15-3.0V,精度:±30ppm,频率为:32.768KHz,负载:15pF,电源电压:3.0V,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm封装,四脚贴片晶振,石英晶体振荡器,CMOS输出晶振,有源晶振,石英晶振,石英贴片晶振,工作温度范围:-40℃至+85℃。具有超小型,轻薄型,高性能,高品质,高质量,耐热及耐环境特点。贴片晶振,被广泛应用于:移动电话晶振,无线局域网晶振,数码相机晶振,便捷式电脑晶振,仪器仪表晶振,计时器晶振,智能家居等应用。
3225mm,C3KC20-32.768-15-3.3V,32.768KHz,C3K,ITTI有源晶振

3225mm,C3KC20-32.768-15-3.3V,32.768KHz,C3K,ITTI有源晶振

3225mm,C3KC20-32.768-15-3.3V,32.768KHz,C3K,ITTI有源晶振,香港晶振,ITTI晶振,型号:C3K系列晶振,编码为:C3KC20-32.768-15-3.3V,精度:±20ppm,频率为:32.768K晶振,负载:15pF,电源电压:3.3V,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,CMOS输出晶振,石英晶体振荡器,石英贴片晶振,工作温度范围:-40℃至+85℃。具有超小型,轻薄型,高性能,高品质,高质量,耐热及耐环境特点。被广泛应用于:移动电话晶振,通讯设备晶振,无线局域网晶振,蓝牙模块晶振,数码相机晶振,钟表电子晶振,数字显示晶振,数码电子等应用。
C2KC20-32.768-15-3.3V,2520mm,C2K,32.768KHz,ITTI晶振

C2KC20-32.768-15-3.3V,2520mm,C2K,32.768KHz,ITTI晶振

C2KC20-32.768-15-3.3V,2520mm,C2K,32.768KHz,ITTI晶振,香港晶振,ITTI晶振,型号:C2K系列晶振,编码为:C2KC20-32.768-15-3.3V,精度:±20ppm,频率为:32.768KHz,负载:15pF,电压:3.3V,是一款小体积晶振,尺寸:2.5x2.0mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,SMD晶振,石英晶振,石英晶体振荡器,石英贴片晶振,工作温度范围:-40℃至+85℃。具有超小型,轻薄型,高性能,高品质,高质量,耐热及耐环境特点。32.768K贴片晶振,被广泛应用于:移动电话晶振,便捷式电脑晶振,数码相机晶振,无线局域网晶振,通讯设备晶振,钟表电子,仪器仪表设备,数字显示等应用。
QTCT5702C1B-24.576000,7050mm,Q-Tech振荡器,24.576MHz

QTCT5702C1B-24.576000,7050mm,Q-Tech振荡器,24.576MHz

QTCT5702C1B-24.576000,7050mm,Q-Tech振荡器,24.576MHz美国进口晶振,Q-Tech晶振,型号:QTCT570,编码为:QTCT5702C1B-24.576000,电压:+2.8V,HCMOS输出晶振,频率为:24.576MHz,频率稳定性:±2.5ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm,四脚贴片晶振,温补晶体振荡器,石英晶振,有源晶振,石英晶体振荡器。Q-Tech的表面安装的QTCT570振荡器由一个IC 2.8Vdc,3.3Vdc时钟TCXO组成,内置在一个低轮廓陶瓷封装与镀金接触垫。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,高精度,高性能,高品质等特点。应用程序:仪器设备晶振,导航晶振,航空电子晶振,以太网应用晶振,基站晶振,GPS应用晶振,便携式收音机,FEMTO细胞等。
QTCT3503C1T-48.000000,5032mm,48MHz,Q-Tech晶振

QTCT3503C1T-48.000000,5032mm,48MHz,Q-Tech晶振

QTCT3503C1T-48.000000,5032mm,48MHz,Q-Tech晶振,美国进口晶振,Q-Tech晶振,型号:QTCT350,编码为:QTCT3503C1T-48.000000,电压:+3.3V,HCMOS输出晶振,频率为:48.000MHz,频率稳定性:±1ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,TCXO温度补偿晶振,石英晶体振荡器。Q-Tech的表面安装QTCT350振荡器由一个IC 3.3Vdc,5.0Vdc TCXO内置在一个低轮廓陶瓷封装与镀金接触垫。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低电平,低损耗等特点。应用程序:旨在满足当今对低电压的要求,仪器,导航,航空电子,以太网/SynchE,基站,全球定位系统(GPS),便携式收音机,FEMTO细胞等。
Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振

Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振

Si535,535BB125M000DG,7050mm,125MHz,Silicon超低抖动晶振,美国进口晶振,Silicon品牌晶振,型号:Si535,编码为:535BB125M000DG,频率为:125MHz,电压3.3V,LVDS输出差分晶振,温度稳定性:±20ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm封装,六脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,差分晶体振荡器。应用于:蓝牙晶振,10/40/100G数据中心,10G以太网,交换机/路由器,光纤通道/SAS/存储,企业服务器,网络,电信,光模块,无线网络等应用。
501JCA25M0000CAF,Si501,25MHz,3225mm,Silicon品牌

501JCA25M0000CAF,Si501,25MHz,3225mm,Silicon品牌

501JCA25M0000CAF,Si501,25MHz,3225mm,Silicon品牌,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si501,编码为:501JCA25M0000CAF,电压:3.3V,精度:±20ppm,频率:25MHz,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm封装,工作温度范围:-20℃至+70℃,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,石英晶体振荡器。具有超小型,轻薄型,高精度,高性能,高品质等特点。应用于:存储(SATA/SAS/PCIe),通用处理器,工业控制器,嵌入式控制器,机控制,流量控制,办公室/家庭自动化,IP摄像头/监控,显示和控制面板,户外电子设备,多功能打印机等。
SMD600.3C(E/D)-120.000MHz,6035mm,120MHz,GED时钟振荡器

SMD600.3C(E/D)-120.000MHz,6035mm,120MHz,GED时钟振荡器

SMD600.3C(E/D)-120.000MHz,6035mm,120MHz,GED时钟振荡器,美国进口晶振,GED晶振,型号:SMD600系列,编码为:SMD600.3C(E/D)-120.000MHz,电源电压:3.3V,频率稳定性:±25ppm,频率为:120.000MHz,工作温度范围:0℃至+70℃,小体积晶振尺寸:6.0x3.5mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶振,表面安装水晶时钟振荡器。应用于:通讯设备晶振,电信设备晶振,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,物联网晶振,仪器设备晶振等应用。
SMD100.3C(E/D)-40.000MHz,7050mm,40MHz,GED Oscillators

SMD100.3C(E/D)-40.000MHz,7050mm,40MHz,GED Oscillators

SMD100.3C(E/D)-40.000MHz,7050mm,40MHz,GED Oscillators,美国进口晶振,GED晶振,型号:SMD100系列,编码为:SMD100.3C(E/D)-40.000MHz,电源电压:3.3V,频率稳定性:±25ppm,频率为:40.000MHz,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶振,表面安装HCMOS/TTL兼容振荡器。应用于:通讯设备晶振,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,物联网晶振,仪器设备晶振,汽车电子晶振等应用。
QTO-P.3CET-25.000MHz,PECL,25M,7050mm,GED可编程振荡器

QTO-P.3CET-25.000MHz,PECL,25M,7050mm,GED可编程振荡器

QTO-P.3CET-25.000MHz,PECL,25M,7050mm,GED可编程振荡器,美国进口晶振,GED晶振,型号:QTO系列,编码为:QTO-P.3CET-25.000MHz,电源电压:3.3V,频率稳定性:±25ppm,频率为:25.000MHz,PECL输出晶振,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.5x5.0mm封装,六脚贴片晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶振。应用于:通讯设备晶振,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,以太网晶振,路由器晶振,交换机晶振,光纤通道晶振等应用。
VCXO,SMD2500.3C-24.576MHz,7050mm,3.3V,GED品牌,24.576M

VCXO,SMD2500.3C-24.576MHz,7050mm,3.3V,GED品牌,24.576M

VCXO,SMD2500.3C-24.576MHz,7050mm,3.3V,GED品牌,24.576M,美国进口晶振,GED晶振,型号:SMD2500系列,编码为:SMD2500.3C-24.576MHz,电源电压:3.3V,频率稳定性:±25ppm,频率为:24.576MHz,HCMOS输出晶振,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.5x5.0mm封装,六脚贴片晶振,VCXO压控晶体振荡器,石英晶振,有源晶振,压控晶振,石英晶体振荡器。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低耗能等特点。应用于:通讯设备晶振,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,GPS定位晶振,导航仪晶振,物联网晶振等应用。
SMD2200.3C-35.328MHz,7050mm,VCXO,HCMOS,GED晶振

SMD2200.3C-35.328MHz,7050mm,VCXO,HCMOS,GED晶振

SMD2200.3C-35.328MHz,7050mm,VCXO,HCMOS,GED晶振,美国进口晶振,GED晶振,型号:SMD2200系列,编码为:SMD2200.3C-35.328MHz,电源电压:3.3V,频率稳定性:±25ppm,频率为:35.328MHz,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm封装,六脚贴片晶振,VCXO压控晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶体振荡器。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低耗能等特点。应用于:通讯设备晶振,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,GPS定位晶振,导航仪晶振,物联网晶振等应用。
3225mm,QTCT236LWH-125.000000,125MHz,Q-Tech差分晶振

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3225mm,QTCT236LWH-125.000000,125MHz,Q-Tech差分晶振,美国进口晶振,Q-Tech晶振,型号:QTCT236,编码为:QTCT236LWH-125.000000,频率为:125.000MHz,小体积晶振尺寸:3.2x2.5mm,六脚贴片晶振,LVDS输出差分晶振,TCXO温度补偿晶体振荡器,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶振,温补晶振,差分晶体振荡器。Q-Tech的表面安装QTCT236振荡器由一个IC 2.5Vdc或3.3Vdc TCXO内置在一个低轮廓陶瓷封装与镀金接触垫。有源晶振具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低电平,低耗能,低损耗等特点。应用程序:旨在满足当今低压应用的要求,千兆以太网,光纤通道,声纳,微处理器/DSP/FPGAS,宽带接入,智能电网等。
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石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

将二氧化硅(SiO2)结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片, 再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层, 并作为两个极引出管脚, 加以封装, 就构成石英晶体谐振器。石英晶体谐振器, 简称石英晶体, 具有非常稳定的固有频率。下面CEOB2B晶振平台要给大家介绍的是晶振的压电效应以及等效电路,石英晶体振荡电路等.

1.压电效应和压电振荡

在石英晶体两个管脚加交变电场时, 它将会产有利于一定频率的机械变形, 而这种机械振动又会产生交变电场, 上述物理现象称为压电效应。 一般情况下, 无论是机械振动的振幅, 还是交变电场的振幅都非常小。但是, 当交变电场的频率为某一特定值时, 振幅骤然增大, 产生共振, 称之为压电振荡。这一特定频率就是石英晶体的固有频率, 也称谐振频率。
 2.石英晶体的等效电路和振荡频率
石英晶体的等效电路,当石英晶振晶体不振动时, 可等效为一个平板电容C0, 称为静态电容;其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积, 一般约为几到几十皮法。当晶片产生振动时, 机械振动的惯性等效为电感L, 其值为几毫亨。贴片晶振,石英晶体晶片的弹性等效为电容C, 其值仅为0.01到0.1pF, 因此, CL数值很大, 所以Q值高达104~106。 频率稳定度Δf/f0可达10-6~10-8, 采用稳频措施后可达10-10~10-11。而LC振荡器的Q值只能达到几百, 频率稳定度只能达到10-5。
二、石英晶体正弦波振荡电路
 1.并联型石英晶体正弦波振荡电路
如果用石英晶体取代LC振荡电路中的电感, 就得到并联型石英晶体振荡器,石英晶体正弦波振荡电路,电路的振荡频率等于石英晶体的并联谐振频率。
 2.串联型石英晶体振荡电路
串联型石英晶体振荡电路,电容Cb为旁路电容, 对交流信号可视为短路.电路的第一级为共基放大电路, 第二级为共集放大电路。 若断开反馈, 给放大电路加输入电压是, 极性上“+”下“-”;则T1管集电极动态电位为“+”, T2管的发射极动态电位也为“+”。 只有在石英贴片晶振,水晶振荡子,石英晶体呈纯阻性, 即产生串联谐振时, 反馈电压才与输入电压同相, 电路才满足正弦波振荡的相位平衡条件。 所以电路的振荡频率为石英晶体的串联谐振频率fS。调整Rf的阻值, 可使电路满足正弦波振荡的幅值平衡条件。
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