石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体谐振器元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。
ILSI晶振,贴片晶振,,ILCX09晶振,6035陶瓷面晶振,小体积贴片6035mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
ILSI-MMD提供广泛的频率控制产品包装，包括工业标准和定制金属罐通孔表面贴装晶体，塑料封装的手表6035晶振，陶瓷表面贴装晶体和陶瓷表面贴装时钟振荡器.②ILSI-MMD核心频率控制产品：晶体。XO，VCXO，TCXO，OCXO振荡器和谐振器.③ILSI-MMD是用于RF /无线应用的TCXO频率控制产品的市场领导者.④ILSI-MMD是一家通过ISO9001：2008 DNV认证的供应商.⑤ILSI-MMD是全球各合同制造/ EMS供应商的认可供应商.⑥ILSI-MMD通过香港的货运枢纽/仓库为我们的亚洲合同制造和亚洲直接客户提供支持，以简化物流具有35年频率控制产品经验的ILSI-MMD现场应用工程团队.
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ILSI晶振
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单位
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ILCX09晶振
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石英晶振基本条件
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标准频率
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f_nom
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8~100MHZ
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标准频率
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储存温度
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T_stg
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-40° C~+85° C
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裸存
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工作温度
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T_use
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-0° C~+70° C
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标准温度
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激励功率
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DL
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500μW Max.
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推荐:10μW~100μW
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频率公差
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f_— l
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±30ppm×10-6 (标准),
(±10×10-6~±20×10-6可用)
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+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jingzhen95.com/
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频率温度特征
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f_tem
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±50ppm/‐20°C~+70°C,
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超出标准的规格请联系我们.
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负载电容
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CL
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18pF
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不同负载电容要求,请联系我们.
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串联电阻(ESR)
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R1
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如下表所示
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-10°C~65°C, DL=100μW
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频率老化
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f_age
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±5×10-6/year Max.
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+25°C,第一年
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美国ILSI进口无源石英谐振器型号:
陶瓷面晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。ILSI晶振,贴片晶振,ILCX09晶振,6035陶瓷面晶振
每个贴片晶振封装类型的注意事项(1)陶瓷包装晶振与SON产品:在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂（开裂）。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
（2）陶瓷包装石英晶振:在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装贴片石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。陶瓷封装贴片晶振:在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装贴片晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.质量方针:ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.制定了我们认为适合我们组织的质量方针，并且符合ISO 9001：2008中规定的要求。该政策在整个公司内传达。部门经理和主管负责确保所有员工了解政策。为确保陶瓷面无源晶振的政策适宜，我们至少每年在其管理评审会议上对其进行审查。ILSI晶振,贴片晶振,ILCX09晶振,6035陶瓷面晶振
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.质量方针：ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.致力于通过二脚进口无源晶振坚持其建立的质量管理体系和持续改进的承诺，不断为其内部和外部客户提供高质量的产品和服务ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.质量管理体系采用Plan-Do-Check-Act循环。这是ISO管理体系标准的操作原则。
计划 - 确定目标并制定计划（分析你的组织情况，确定6.0*3.5mm石英晶振的总体目标并设定你的临时目标，并制定实现目标的计划）。做 - 实施你的计划（做你的计划）。检查 - 衡量你的结果（衡量/监测你的实际成就达到你的计划目标的程度）。行动 - 纠正和改善你的计划，以及如何将它们付诸实践（纠正错误并从错误中吸取教训，改进计划，以便下次取得更好的结果）.
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