石英晶振的研磨技术：通过对32.768K晶振切割整形后的晶片进行研磨，使石英晶振的晶片达到（厚度/频率）的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为：在压电晶体行业，生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面，通过理论与实际相结合，累积多年的晶振研磨经验，通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术，注重贴片晶振研磨过程的各种细节，注重晶振所用精磨研磨设备的选择；
ILSI晶振,贴片晶振,IL3Y晶振,两脚音叉晶振,小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊盘的高温回流温度曲线要求.
1995年，ILSI北京中国办事处开业。1998年，ILSI美国进口晶振公司搬迁到它现在的位置，这是一个位于内华达州里诺的10,000平方英尺的世界总部。1999年，ILSI香港中海物流中心开业。2007年ILSI韩国办事处的开业完成了我们在美国和亚洲提供真正实体店的目标，这些实体由直接员工提供，以支持我们在北美，墨西哥，亚洲和欧洲快速增长的客户群。
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ILSI晶振
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单位
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IL3Y晶振
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石英晶振基本条件
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标准频率
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f_nom
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32.768KHZ
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标准频率
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储存温度
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T_stg
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-40° C~+85° C
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裸存
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工作温度
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T_use
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-40° C~+85° C
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标准温度
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激励功率
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DL
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1μW Max.
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推荐:10μW~100μW
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频率公差
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f_— l
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±20ppm×10-6 (标准),
(±10×10-6~±20×10-6可用)
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+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jingzhen95.com/
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频率温度特征
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f_tem
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-0.034ppm/‐20°C~+70°C,
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超出标准的规格请联系我们.
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负载电容
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CL
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12.5pF
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不同负载电容要求,请联系我们.
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串联电阻(ESR)
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R1
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如下表所示
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-10°C~65°C, DL=100μW
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频率老化
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f_age
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±5×10-6/year Max.
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+25°C,第一年
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美国ILSI进口无源石英谐振器型号:
所有产品的共同点:1：抗冲击:抗冲击是指金属面晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 ILSI晶振,贴片晶振,IL3Y晶振,两脚音叉晶振
3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解两脚贴片晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。4：粘合剂:请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）.
5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用时钟晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.时钟贴片封装晶振质量方针:ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.制定了我们认为适合我们组织的质量方针，并且符合ISO 9001：2008中规定的要求。该政策在整个公司内传达。部门经理和主管负责确保所有员工了解政策。为确保的政策适宜，我们至少每年在其管理评审会议上对其进行审查。ILSI晶振,贴片晶振,IL3Y晶振,两脚音叉晶振
ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.质量方针：ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.致力于通过4.1*1.5mm压电石英晶体坚持其建立的质量管理体系和持续改进的承诺，不断为其内部和外部客户提供高质量的产品和服务ILSI America LLC / ILSI-MMD Inc.质量管理体系采用Plan-Do-Check-Act循环。这是ISO管理体系标准的操作原则。
计划 - 确定目标并制定计划（分析你的组织情况，确定32.768K无源晶振的总体目标并设定你的临时目标，并制定实现目标的计划）。做 - 实施你的计划（做你的计划）。检查 - 衡量你的结果（衡量/监测你的实际成就达到你的计划目标的程度）。行动 - 纠正和改善你的计划，以及如何将它们付诸实践（纠正错误并从错误中吸取教训，改进计划，以便下次取得更好的结果）.
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