激光减薄工艺的优点在于,只减薄表面银层,并不伤及晶片本身;同时由于不改变电极有效面积,因而对石英晶体谐振器晶片本身电性能参数影响不大;刻蚀图形选择较灵活;刻蚀外形美观,肉眼几乎看不出痕迹。

而其缺点在于可调的频率微调量小,真空中最大只能调节到500ppm左右,而大气中最大只能调节到100ppm左右。而在需要较大频率微调量的情况下,加在激光强度,很容易就会把中央膜层击穿,完全打光,而这样就会对贴片晶振晶片的电性能参数及频率曲线造成严重损害,并且刻蚀表面不美观。

激光刻蚀图形：

所谓激光刻蚀图形,是指以一定的图形在石英晶振晶片表面膜层上进行扫描,并把被扫描处的膜层全部刻光,剥落出石英晶片。其示意图如下图所示。

激光刻蚀工艺的刻蚀图形：

实验中用到的刻蚀图形如下图所示。为圆环形刻蚀,环与环之间线宽为激光刻蚀最小线宽0.02m。

同激光减薄一样,激光刻蚀工艺的图形也十分灵活,可根据需要进行绘制。

激光刻蚀图形工艺的优、缺点：

用激光刻蚀图形,把SMD晶振晶片表面电极层部分完全剥落的方法,其优点首先在于频率微调量大,大气中即可达到2000pm以上的频率微调量。

其次,刻蚀图形的方法,可以对晶片一面进行加工,而实现两面同时同剥落其次,刻蚀图形的方法,可以对晶片一面进行加工,而实现两面同时同剥落。

第三,由于在生产过程中,晶片表面的电极层是靠掩膜镀敷到晶片表面上的,在掩膜的过程中,边缘处会产生散射,使得沉积在晶片上的银层边界线不够清晰有部分散射银残留的现象,同时也会影响音叉晶振晶片的Q值。用激光刻蚀图形的方法,对晶片边缘进行加工,便可以清除边界残留银层,使得晶片表面银层清晰于净,时提高晶片的Q值。

利用激光刻蚀图形工艺进行石英晶振频率微调,对于准备性有较高的要求,否则就较易刻蚀到晶片本身,因而对于刻蚀图形形状,填充间距等要求较高。

总的来说,这种工艺比较适用于对调节量要求较大,大规模快速生产的情况,比激光减薄工艺更利于产业化。

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