第7章激光频率微调的扩展性研究

本章基于前面研究的基础上,进一步探讨激光频率微调工艺产业化的问题及该工艺的其他用途。如是否能用于替代光刻技术,是否还能用于石英晶振晶片本身(无镀膜)的精确微调等等。

7.1频率漂移现象

  离子刻蚀,在刻蚀后的几秒钟存在频率漂移现象,漂移可达10ppm,国内外众多学者研究过其漂移机制,但至今尚未有定论。漂移图如图7.1所示。

  问同离子刻蚀类似,贴片晶振的激光频率微调,也同样在微调停止的最初一段时间内存在着频率漂移现象。漂移量也在10ppmn左右。如下图所示。

  这个现象的存在会给实验结果带来误差。解决办法之一就是,找出频率漂移的规律,在微调的时候预留出漂移量,使漂移之后的结果恰好为目标频率。

7.2多片晶片同时微调

  目前在生产中的离子束刻蚀频率微调工艺均是有源晶振晶片逐一进行刻蚀,当前刻日前在生产中的离子束刻蚀频率微调工艺均是对晶片逐一进行刻蚀,当前刻这是因为离子能量大,束瓣宽,较难移动方向,无法在厘米甚至毫米数量级大小的晶片间准确的移动定位。这样的单片刻蚀工艺,其生产效率有限,难以大幅度提高。

  而引入了激光技术以后,这个问题就可以迎刃而解了。利用激光束的定位准确,移动控制灵活等优点,对多片晶片同时进行激光高速扫描。对每一片晶片进行实时频率检测,一旦达到目标频率通过软件控制,停止对该片的扫描,同时激光束继续对其余晶片进行扫描。

  图72所示为二维扫描机构俯视示意图。41是激光输出口;11是石英晶体谐振器; 51是扫描机构的二维工作平台;7是采集器探针,即混轮测量电极,用于采集晶体频率数据。41为激光加工输出。探针7可以上下移动,检测晶体的输出端频率,向下则接解晶体引出脚,检测频率,由41进行加工。该晶片加工完毕,则向上移动到另一个晶体的位置。7至41的距离S取决于7点测量到完成数据处理得到控制激光输出参数的时间ΔT和X轴方向的速率V以及需加工修正镀层的时间△,S=v(△T+△t)。

  随之而来的是高速取样、高速测量采用何种方式及其电路的研究,以及系统的设计,并且如何保证晶片之间不会相互干扰,这都将成为研究工作的难点。

  CEOB2B晶振平台该章节主要讲述了关于频率漂浮现象,对于一个频率元件来说,频率的稳定性至关重要,直接影响应用产品的性能各方面,因此在这项工艺上面尤为重要,石英晶振主要拥有KHZ和MHZ的频率为主,CEOB2B晶振平台里汇集了数千万种晶振,只要您需要的,这里都给您准备好了.