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SITIME晶振,SiT5001晶振,MEMS温补晶振

SITIME晶振,SiT5001晶振,MEMS温补晶振

频率:1~80MHz  尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.


SITIME晶振,SiT5000晶振,温补晶体振荡器

SITIME晶振,SiT5000晶振,温补晶体振荡器

频率:10~40MHz  尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.


SITIME晶振,SiT3922晶振,硅MEMS振荡器

SITIME晶振,SiT3922晶振,硅MEMS振荡器

频率:220~625MHz  尺寸:3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.


SITIME晶振,SiT3921晶振,可编程有源晶振

SITIME晶振,SiT3921晶振,可编程有源晶振

频率:1~220MHz  尺寸:3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.


SITIME晶振,SiT3907晶振,可编程晶振

SITIME晶振,SiT3907晶振,可编程晶振

频率:1~220MHz  尺寸:3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.

SITIME晶振,SiT8925B晶振,SITIME硅晶振

SITIME晶振,SiT8925B晶振,SITIME硅晶振

频率:115.2~137MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime晶振的可配置解决方案帮助客户提高产品性能,缩小产品尺寸,提升产品可靠性,并在市场竞争中脱颖而出。SiTime MEMS振荡器计时解决方案丰富的配套功能和灵活的定制性,确保客户在优化其物料供应链的同时,降低拥有成本,加快产品开发上市周期。SiTime产品采用标准半导体制造工艺和高量产塑料封装技术的生产流程,提供业界最强的供货能力和最短的交货时间

SITIME晶振,SiT8924B晶振,SITIME硅晶振

SITIME晶振,SiT8924B晶振,SITIME硅晶振

频率:1~110MHz   尺寸:2.0*1.6mm,2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime晶振的可配置解决方案帮助客户提高产品性能,缩小产品尺寸,提升产品可靠性,并在市场竞争中脱颖而出。SiTime MEMS振荡器计时解决方案丰富的配套功能和灵活的定制性,确保客户在优化其物料供应链的同时,降低拥有成本,加快产品开发上市周期。SiTime产品采用标准半导体制造工艺和高量产塑料封装技术的生产流程,提供业界最强的供货能力和最短的交货时间

SITIME晶振,SiT8002AA晶振,有源晶体振荡器

SITIME晶振,SiT8002AA晶振,有源晶体振荡器

频率:1~125MHz  尺寸:2.5*2.0mm,3.2*2.5mm,5.0*3.2mm,5.0*7.0mm

SiTime晶振的可配置解决方案帮助客户提高产品性能,缩小产品尺寸,提升产品可靠性,并在市场竞争中脱颖而出。SiTime MEMS振荡器计时解决方案丰富的配套功能和灵活的定制性,确保客户在优化其物料供应链的同时,降低拥有成本,加快产品开发上市周期。SiTime产品采用标准半导体制造工艺和高量产塑料封装技术的生产流程,提供业界最强的供货能力和最短的交货时间

京瓷晶振,温度补偿晶振,KT20A晶振

京瓷晶振,温度补偿晶振,KT20A晶振

频率:19.2~26 MHz  尺寸:5.0*3.2mm  小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点
京瓷晶振,金属面振荡器,KC5032H晶振

京瓷晶振,金属面振荡器,KC5032H晶振

频率:1.5~50MHZ  尺寸:5.0*3.2mm  超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
京瓷晶振,普通有源晶振,KT18晶振

京瓷晶振,普通有源晶振,KT18晶振

频率:12.8~26MHZ  尺寸:5.0*3.2mm  电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
京瓷晶振,温度补偿晶振,KT20A晶振

京瓷晶振,温度补偿晶振,KT20A晶振

频率:19.2~26MHZ  尺寸:5.0*3.2mm  有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下
京瓷晶振,OscillatorCrystal,FXO-62F晶振

京瓷晶振,OscillatorCrystal,FXO-62F晶振

频率:80MHZ  尺寸:7.0*5.0mm  超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求
Abracon晶振,ASFLT晶振,有源贴片晶振

Abracon晶振,ASFLT晶振,有源贴片晶振

频率:4~54MHz  尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)




Abracon晶振,ASFLMX晶振,进口有源晶振

Abracon晶振,ASFLMX晶振,进口有源晶振

频率:25~860MHz  尺寸:5.0*3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.




Abracon晶振,ASFLK晶振,ASFLK-32.768KHZ-LJT晶振,有源32.768K晶振

Abracon晶振,ASFLK晶振,ASFLK-32.768KHZ-LJT晶振,有源32.768K晶振

频率:32.768KHz  尺寸:5.0*3.2mm

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)




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石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理

将二氧化硅(SiO2)结晶体按一定的方向切割成很薄的晶片, 再将晶片两个对应的表面抛光和涂敷银层, 并作为两个极引出管脚, 加以封装, 就构成石英晶体谐振器。石英晶体谐振器, 简称石英晶体, 具有非常稳定的固有频率。下面CEOB2B晶振平台要给大家介绍的是晶振的压电效应以及等效电路,石英晶体振荡电路等.

1.压电效应和压电振荡

在石英晶体两个管脚加交变电场时, 它将会产有利于一定频率的机械变形, 而这种机械振动又会产生交变电场, 上述物理现象称为压电效应。 一般情况下, 无论是机械振动的振幅, 还是交变电场的振幅都非常小。但是, 当交变电场的频率为某一特定值时, 振幅骤然增大, 产生共振, 称之为压电振荡。这一特定频率就是石英晶体的固有频率, 也称谐振频率。
 2.石英晶体的等效电路和振荡频率
石英晶体的等效电路,当石英晶振晶体不振动时, 可等效为一个平板电容C0, 称为静态电容;其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积, 一般约为几到几十皮法。当晶片产生振动时, 机械振动的惯性等效为电感L, 其值为几毫亨。贴片晶振,石英晶体晶片的弹性等效为电容C, 其值仅为0.01到0.1pF, 因此, CL数值很大, 所以Q值高达104~106。 频率稳定度Δf/f0可达10-6~10-8, 采用稳频措施后可达10-10~10-11。而LC振荡器的Q值只能达到几百, 频率稳定度只能达到10-5。
二、石英晶体正弦波振荡电路
 1.并联型石英晶体正弦波振荡电路
如果用石英晶体取代LC振荡电路中的电感, 就得到并联型石英晶体振荡器,石英晶体正弦波振荡电路,电路的振荡频率等于石英晶体的并联谐振频率。
 2.串联型石英晶体振荡电路
串联型石英晶体振荡电路,电容Cb为旁路电容, 对交流信号可视为短路.电路的第一级为共基放大电路, 第二级为共集放大电路。 若断开反馈, 给放大电路加输入电压是, 极性上“+”下“-”;则T1管集电极动态电位为“+”, T2管的发射极动态电位也为“+”。 只有在石英贴片晶振,水晶振荡子,石英晶体呈纯阻性, 即产生串联谐振时, 反馈电压才与输入电压同相, 电路才满足正弦波振荡的相位平衡条件。 所以电路的振荡频率为石英晶体的串联谐振频率fS。调整Rf的阻值, 可使电路满足正弦波振荡的幅值平衡条件。
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